干法(或等離子)顯影
發(fā)布時間:2015/11/1 18:53:39 訪問次數(shù):989
液體工藝的消除一直是一個長期目標(biāo)。它佃難于集成到自動化生產(chǎn)線,L6219并且化學(xué)品的采購、儲存、控制和處理費(fèi)用高昂。取代液體化學(xué)顯影液的途徑是使用等離子體刻蝕工藝.j于法等離子體刻蝕對于刻蝕晶圓表面層已經(jīng)是很完善的工藝了(見9.5節(jié))。在等離子體刻蝕中,離子由等離子體場得到能量,以化學(xué)形式分解暴露的晶圓表面層。干法光刻膠顯影要求光刻膠化學(xué)物的曝光或未曝光的部分二者之一易于被氧等離子體去除。換句話說,把圖案的部分從晶圓表面氧化掉。一種稱為DESIRE的干法顯影工藝將在第10章中講述,它使用甲基硅烷( silylation)和氧等離子體。
硬烘焙
硬烘焙是在掩膜工藝中的第二個熱處理操作。它的作用實(shí)質(zhì)上和軟烘焙是一樣的——通過溶液的蒸發(fā)來固化光刻膠。然而,對于硬烘焙,其唯一目標(biāo)是使光刻膠和晶圓表面有良好的黏結(jié),這個步驟有時稱為刻蝕前烘焙。
硬烘焙的方法
硬烘焙在設(shè)備和方法上與軟烘焙相似。對流爐、在線及手動熱板、紅外線隧道爐、移動帶傳導(dǎo)爐和真空爐都用于硬烘焙.,對于自動生產(chǎn)線,軌道系統(tǒng)受到青睞(見8. 10節(jié))。
液體工藝的消除一直是一個長期目標(biāo)。它佃難于集成到自動化生產(chǎn)線,L6219并且化學(xué)品的采購、儲存、控制和處理費(fèi)用高昂。取代液體化學(xué)顯影液的途徑是使用等離子體刻蝕工藝.j于法等離子體刻蝕對于刻蝕晶圓表面層已經(jīng)是很完善的工藝了(見9.5節(jié))。在等離子體刻蝕中,離子由等離子體場得到能量,以化學(xué)形式分解暴露的晶圓表面層。干法光刻膠顯影要求光刻膠化學(xué)物的曝光或未曝光的部分二者之一易于被氧等離子體去除。換句話說,把圖案的部分從晶圓表面氧化掉。一種稱為DESIRE的干法顯影工藝將在第10章中講述,它使用甲基硅烷( silylation)和氧等離子體。
硬烘焙
硬烘焙是在掩膜工藝中的第二個熱處理操作。它的作用實(shí)質(zhì)上和軟烘焙是一樣的——通過溶液的蒸發(fā)來固化光刻膠。然而,對于硬烘焙,其唯一目標(biāo)是使光刻膠和晶圓表面有良好的黏結(jié),這個步驟有時稱為刻蝕前烘焙。
硬烘焙的方法
硬烘焙在設(shè)備和方法上與軟烘焙相似。對流爐、在線及手動熱板、紅外線隧道爐、移動帶傳導(dǎo)爐和真空爐都用于硬烘焙.,對于自動生產(chǎn)線,軌道系統(tǒng)受到青睞(見8. 10節(jié))。
熱門點(diǎn)擊
- 照度均勻度的數(shù)值越大
- 機(jī)電設(shè)備的操作人員必須嚴(yán)格按照機(jī)械操作規(guī)程執(zhí)
- 接近式光刻機(jī)
- 工序質(zhì)量及自檢自控措施
- 對兩種光刻膠的選擇是相當(dāng)復(fù)雜的
- 快速熱處理(RTP)
- 每個立交橋都有各自的特點(diǎn)
- 干法去膠
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- 管子彎曲
推薦技術(shù)資料
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