同刻蝕一樣， EL2030CS于法等離子體工藝也可用于光刻膠去除。將晶圓放置于反應(yīng)室中，并通入氧氣（見(jiàn)圖9. 26）。等離子體場(chǎng)把氧氣激發(fā)到高能狀態(tài)，因而將光刻膠成分氧化為氣體由真空泵從反應(yīng)室吸走。術(shù)語(yǔ)灰化( ashing)用來(lái)說(shuō)明那些設(shè)計(jì)成用來(lái)只去除有機(jī)殘留物的等離子體工藝．，等離子去膠需要去除有機(jī)和無(wú)機(jī)兩種殘留物的工藝。在干法去除機(jī)中，等離子體由微波、射頻( RF)和紫外(UV)-臭氧源共同作用產(chǎn)生[27]。

   等離子體光刻膠去除的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了液體槽和對(duì)化學(xué)品的操作。缺點(diǎn)是對(duì)于金屬離子的去除沒(méi)有效果。在等離子體場(chǎng)中沒(méi)有足夠的能量使金屬離子揮發(fā)。需要對(duì)等離子體去膠的另一個(gè)考慮是高能等離子體場(chǎng)對(duì)電路的輻射損傷。采用將等離子體發(fā)生室從去除反應(yīng)室移開(kāi)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)來(lái)減少這個(gè)問(wèn)題的影響。因而被稱(chēng)為下游去膠機(jī)( downstream stripper)，這是因為等離子體在晶圓的下游產(chǎn)生。MOS晶圜在去膠中對(duì)輻射影響更加敏感。

   工業(yè)對(duì)干法等離子體工藝取代濕法去除期待已久。然而，氧等離子體不能去除移動(dòng)離子的金屬污染，并且有一定程度的金屬殘留和輻射損傷，這使得濕法去除或濕法一千法結(jié)合繼續(xù)保持著光刻膠去除工藝的主流地位。等離子體去除被用于硬化的光刻膠層，然后以濕法來(lái)去除未被等離子體去掉的殘留物。有專(zhuān)門(mén)的濕法去膠機(jī)處理這些硬化的光刻膠層。