同刻蝕一樣， EL2030CS于法等離子體工藝也可用于光刻膠去除。將晶圓放置于反應(yīng)室中，并通入氧氣（見圖9. 26）。等離子體場把氧氣激發(fā)到高能狀態(tài)，因而將光刻膠成分氧化為氣體由真空泵從反應(yīng)室吸走。術(shù)語灰化( ashing)用來說明那些設(shè)計成用來只去除有機殘留物的等離子體工藝．，等離子去膠需要去除有機和無機兩種殘留物的工藝。在干法去除機中，等離子體由微波、射頻( RF)和紫外(UV)-臭氧源共同作用產(chǎn)生[27]。

   等離子體光刻膠去除的主要優(yōu)點是消除了液體槽和對化學品的操作。缺點是對于金屬離子的去除沒有效果。在等離子體場中沒有足夠的能量使金屬離子揮發(fā)。需要對等離子體去膠的另一個考慮是高能等離子體場對電路的輻射損傷。采用將等離子體發(fā)生室從去除反應(yīng)室移開的系統(tǒng)設(shè)計來減少這個問題的影響。因而被稱為下游去膠機( downstream stripper)，這是因為等離子體在晶圓的下游產(chǎn)生。MOS晶圜在去膠中對輻射影響更加敏感。

   工業(yè)對干法等離子體工藝取代濕法去除期待已久。然而，氧等離子體不能去除移動離子的金屬污染，并且有一定程度的金屬殘留和輻射損傷，這使得濕法去除或濕法一千法結(jié)合繼續(xù)保持著光刻膠去除工藝的主流地位。等離子體去除被用于硬化的光刻膠層，然后以濕法來去除未被等離子體去掉的殘留物。有專門的濕法去膠機處理這些硬化的光刻膠層。