可編程只讀存儲器：可編程IR3084UMTRPBF只瀆存儲器( PROM)代表可編程的只讀存儲器，PROM同PAI,的存儲功能相當，每一個記憶單元通過一個熔絲連接到電路中。用戶按電路要求，通過熔斷那些不需要的存儲單元位置的熔絲把信息編程到PROM電路中。編程后，PROM就變成1r ROM，信息永久地被編碼在芯片里，它就變成只讀存儲器了。

   可擦除可編程只讀存儲器：為適應(yīng)某些方面的應(yīng)用，需要方便快捷地改變ROM內(nèi)的存儲數(shù)據(jù)而不是更換整個芯片�？刹脸幊讨蛔x存儲器( EPROM)芯片就是為此被設(shè)計出來的、町擦除的特征是基于MMOS（存儲器MOS）應(yīng)用基礎(chǔ)上的，MMOS晶體管在第16章有過詳細介紹。這些晶體管可以有選擇地充電（或被編程），它們可以用非易失性方式長時間保持電荷，編程使用熱電子注射的機理，當需要編程時，芯片通過照射紫外線使晶體管中的電荷逐漸泄放掉從而擦除記憶．，1日的編程被去除，用外部編程器輸入新的存儲信息。一個典型的EPROM町以被編程10次以上。

   屯可擦除編程只讀存儲器：使存儲器設(shè)計更為便利的下一個等級就是在芯片插入機器時的編程和重新編程的能力。這種便捷得益于電可擦除編程只讀存儲器（EEPROM或E2 PROM），它表示利用電可擦除的( electronically erasable) PROM，編程和擦除是利用外加脈沖，把電荷置于選擇的存儲單元或使電荷泄放掉，編程過程與EPROM所用的是同一熱電子注射機理。，電荷通過一個稱為福勒一諾德海姆( Fowler-Nordheim)隧道的機理從存儲器單元抽出來。，這是以更大的存儲單元面積和更小的芯片密度為代價的。