可編程只讀存儲器：可編程IR3084UMTRPBF只瀆存儲器( PROM)代表可編程的只讀存儲器，PROM同PAI,的存儲功能相當(dāng)，每一個記憶單元通過一個熔絲連接到電路中。用戶按電路要求，通過熔斷那些不需要的存儲單元位置的熔絲把信息編程到PROM電路中。編程后，PROM就變成1r ROM，信息永久地被編碼在芯片里，它就變成只讀存儲器了。

   可擦除可編程只讀存儲器：為適應(yīng)某些方面的應(yīng)用，需要方便快捷地改變ROM內(nèi)的存儲數(shù)據(jù)而不是更換整個芯片�？刹脸幊讨蛔x存儲器( EPROM)芯片就是為此被設(shè)計(jì)出來的、町擦除的特征是基于MMOS（存儲器MOS）應(yīng)用基礎(chǔ)上的，MMOS晶體管在第16章有過詳細(xì)介紹。這些晶體管可以有選擇地充電（或被編程），它們可以用非易失性方式長時間保持電荷，編程使用熱電子注射的機(jī)理，當(dāng)需要編程時，芯片通過照射紫外線使晶體管中的電荷逐漸泄放掉從而擦除記憶．，1日的編程被去除，用外部編程器輸入新的存儲信息。一個典型的EPROM町以被編程10次以上。

   屯可擦除編程只讀存儲器：使存儲器設(shè)計(jì)更為便利的下一個等級就是在芯片插入機(jī)器時的編程和重新編程的能力。這種便捷得益于電可擦除編程只讀存儲器（EEPROM或E2 PROM），它表示利用電可擦除的( electronically erasable) PROM，編程和擦除是利用外加脈沖，把電荷置于選擇的存儲單元或使電荷泄放掉，編程過程與EPROM所用的是同一熱電子注射機(jī)理。，電荷通過一個稱為福勒一諾德海姆( Fowler-Nordheim)隧道的機(jī)理從存儲器單元抽出來。，這是以更大的存儲單元面積和更小的芯片密度為代價(jià)的。