在20世紀(jì)90年代，IBM公司引入銅基的大馬士革工藝而取代鋁的金屬化12、AD8001ARTZ-REEL7銅金屬化引入關(guān)注點(diǎn)之一是銅可以用來作為金屬塞材料，產(chǎn)生將金屬間電阻降到最小的單一金屬系統(tǒng)。

   隨著集成電路達(dá)到幾百兆赫茲的速度，鋁金屬化遇到r性能的阻礙。信號(hào)必須以足夠快的速度通過金屬系統(tǒng)，才能防止程序延誤。同樣，更大的芯片需要更長、更細(xì)的金屬導(dǎo)線，這就使金屬連線系統(tǒng)的電阻變得更大。隨著接觸孔數(shù)量增加，鋁和硅表面之間的小接觸電阻加起來變得非常重大。雖然鋁提供了可以工作電阻，它也很難淀積在具有(10：1)深寬比的通孑L中。直到今天，人們已經(jīng)使用了阻擋層金屬方案、堆疊金屬和難熔金屬來降低鋁金屬系統(tǒng)的電阻。由于0. 25斗Q．cm（或更�。┑钠骷男枰�，人們不得不嘗試著減少附加電阻，這使人們的興趣重新轉(zhuǎn)向了銅這種導(dǎo)體。與鋁3.1斗Q．cm的電阻率相比，銅的電阻率僅為1.7肛Q．cm．導(dǎo)電性比鋁優(yōu)良。同時(shí)，銅本身就具有抗電遷移的能力，而且能夠在低溫F進(jìn)行淀積。銅也能夠作為塞材料使用。銅能夠通過CVD、濺射、化學(xué)鍍、電鍍等方法進(jìn)行淀積。除了缺乏學(xué)習(xí)曲線，其缺點(diǎn)包括刻蝕問題、銅還易刮傷、腐蝕，還需要隔離金屬來防止銅進(jìn)入硅片之中。盡管如此，IBM還有緊隨其后的Motorola，都在1998年就宣布了基于銅技術(shù)的器件制造的可行性‘3，現(xiàn)在所有的電路都采用銅金屬化和低k介質(zhì)技術(shù)開發(fā)．．要益處是提高性能和減少要求的金屬層數(shù)。