典型的硅刻蝕是用含氮的物質(zhì)與氫氟酸( HF)的混合水溶液。這一配比規(guī)則在控制刻蝕中成為一個(gè)重要的因素。在一些比率上，刻蝕硅會(huì)有放熱反應(yīng)。 EL1503ACM放熱反應(yīng)所產(chǎn)生的熱可加速刻蝕反應(yīng)，接下來又產(chǎn)生更多的熱，這樣進(jìn)行下去會(huì)導(dǎo)致工藝無法控制。有時(shí)醋酸和其他成分被混合進(jìn)來控制放熱反應(yīng)。

   一些器件要求在晶圓上刻蝕出槽或溝�？涛g配方要進(jìn)行調(diào)整以使刻蝕速率依靠晶圓的取向。<111>取向的晶圓以45 0角刻蝕，<100>取向的晶圓以“平”底刻蝕。6．、其他取向的晶圓可以得到不同形狀的溝棺。多晶硅刻蝕也用基本相同的規(guī)則。

   最普通的刻蝕層是熱氧化形成的二氧化硅�；镜目涛g劑是氫氟酸( HF)，它有刻蝕二氧化硅而不傷及硅的優(yōu)點(diǎn)。然而，飽和濃度的氫氟酸在室溫下的刻蝕速率約為300 R/s 6；j，，這個(gè)速率對(duì)于一個(gè)要求控制的工藝來說太快了（3000 A薄膜層刻蝕僅用10 s）。在實(shí)際中，氫氟酸(49%)與水或氟化銨及水混合。以氟化銨( NH。F)來緩沖會(huì)加速刻蝕速率的氫離子的產(chǎn)生。這種刻蝕

溶液稱為緩沖氧化物刻蝕( buffered oxideetch)或BOE。針對(duì)特定的氧化層厚度，它們以不同的濃度混合來達(dá)到合理的刻蝕時(shí)間（見圖9. 17）。一些BOE公式包括一個(gè)濕化劑（表面活化劑如Triton X-100或同類物質(zhì)）用以減小刻蝕表面的張力，以使其均勻地進(jìn)入更小的開孑L區(qū)。

   暴露硅晶圓表面的過刻蝕可以引起表面的粗糙。在氫氟酸工藝期間，當(dāng)暴露于OH離子時(shí)，在刻蝕中硅表面會(huì)變粗糙。