什么是金屬氧化物場效應(yīng)管（MOSFET）?特點是什么t

   答：MOSFET是一種GP2021單極型的電壓控制器件�，F(xiàn)用N溝道GP2021的模擬結(jié)構(gòu)來說明工作原理，在柵極(G)電壓為零時，器件的漏極(D)與源極(S)之間的PN結(jié)為反偏狀態(tài)，MOSFET處于截止?fàn)顟B(tài)。如果在柵極加上正向電壓，同時漏極與源極之間也存在正向電壓，柵極下面則開始形成耗盡區(qū)并出現(xiàn)負屯荷，硅層表面由P型反型成為N型。此時電子從源極向漏極移動形成電流，器件導(dǎo)通。這個反型層被稱為溝道。根據(jù)溝道的不同，MOSFET可以分為N溝道和P溝道。

   MOSFET由于是電壓控制型器件，驅(qū)動功率小，使用方便，開關(guān)頻率很高（達到幾十千赫茲至幾百千赫茲），因而廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源及小容量電力變流裝置中。

   什么是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)?

   答：隨著電力電子變換技術(shù)的發(fā)展，使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速發(fā)展。

   20世紀80年代，為了給高電壓應(yīng)用環(huán)境提供一種高輸入阻抗的器件，有人提出了絕緣柵雙極型晶體管IGBT。IGBT是由BJTBJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。從等效電路可以看出，IGBT是以BJT為主導(dǎo)元件，MOSFET為紅色電動元件的達林頓結(jié)構(gòu)器件。GTR飽和壓降低，載流密度小，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，它用一個MOS門極區(qū)來控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸，這就嚴生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相結(jié)合的器件，驅(qū)動功率小，開關(guān)速度快，電流處理能力大和飽和壓降低，非常適合廣應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)領(lǐng)域。IGBT由于性能優(yōu)良，已全面取代了功率晶體管而成為中小容量電力變流裝置中的主力器件，在中小功率、低噪聲和高性能的電源、逆變器、不間斷電源( UPS)和交流電動機調(diào)速系統(tǒng)的設(shè)計中得到廣泛應(yīng)用。同時IGBT的單管容量也不斷提高，并開始進入中大容量電力變流裝置中。目前IGBT單管容量已達到400A／1700V。