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門極可關(guān)斷晶閘管的關(guān)斷能力如何進(jìn)行判斷?

發(fā)布時(shí)間:2015/11/22 16:18:02 訪問次數(shù):1600

   門極可關(guān)斷晶閘管的關(guān)斷能力如何進(jìn)行判斷?

   答:采用普通指針式機(jī)萬用表判斷門極可關(guān)斷晶體管在觸發(fā)能力狀態(tài)下, AD8008AR再在晶體管的門極G與陽極A極之間加上反向觸發(fā)信號(hào)。若此時(shí)A極與K極乏間的電阻值由低電阻變?yōu)?/span>無窮大,則說明晶閘管的關(guān)斷能力正常。

   在應(yīng)用IGBT時(shí),如何防止電路出現(xiàn)寄生振蕩?

   答:在應(yīng)用IGBT管時(shí),為了防止柵極連接的寄生電感和柵極與集電極之間的電容耦合產(chǎn)生寄生振蕩而損壞氧化層,一般采用雙絞線進(jìn)行驅(qū)動(dòng)信號(hào)的傳輸,以減少寄生振蕩。當(dāng)然,在柵極連線中串聯(lián)小電阻器也可以抑制寄生振蕩電壓。絕緣柵雙極型晶體管IGBT通常保存在5~35℃、45%~75%濕度范圍內(nèi),偏離不可太大。

   使用與代換IGBT時(shí)怎么注意耐壓?

   答:IGBT管的柵極是通過一層氧化膜與發(fā)射極進(jìn)行電隔離的。由于氧化膜非常薄,故其柵極與發(fā)射極之間的耐壓值為±20V,如所加電壓超出該電壓值時(shí),就有損壞IGBT管的可能。此外,當(dāng)柵極與發(fā)射極之間開路后,若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,集電極有漏電電流流過,柵極電位升高,集電極就會(huì)有電流流過,此時(shí),如果集電極與發(fā)射極之間存在高電壓,IGBT管就有可能發(fā)熱而損壞。


   門極可關(guān)斷晶閘管的關(guān)斷能力如何進(jìn)行判斷?

   答:采用普通指針式機(jī)萬用表判斷門極可關(guān)斷晶體管在觸發(fā)能力狀態(tài)下, AD8008AR再在晶體管的門極G與陽極A極之間加上反向觸發(fā)信號(hào)。若此時(shí)A極與K極乏間的電阻值由低電阻變?yōu)?/span>無窮大,則說明晶閘管的關(guān)斷能力正常。

   在應(yīng)用IGBT時(shí),如何防止電路出現(xiàn)寄生振蕩?

   答:在應(yīng)用IGBT管時(shí),為了防止柵極連接的寄生電感和柵極與集電極之間的電容耦合產(chǎn)生寄生振蕩而損壞氧化層,一般采用雙絞線進(jìn)行驅(qū)動(dòng)信號(hào)的傳輸,以減少寄生振蕩。當(dāng)然,在柵極連線中串聯(lián)小電阻器也可以抑制寄生振蕩電壓。絕緣柵雙極型晶體管IGBT通常保存在5~35℃、45%~75%濕度范圍內(nèi),偏離不可太大。

   使用與代換IGBT時(shí)怎么注意耐壓?

   答:IGBT管的柵極是通過一層氧化膜與發(fā)射極進(jìn)行電隔離的。由于氧化膜非常薄,故其柵極與發(fā)射極之間的耐壓值為±20V,如所加電壓超出該電壓值時(shí),就有損壞IGBT管的可能。此外,當(dāng)柵極與發(fā)射極之間開路后,若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,集電極有漏電電流流過,柵極電位升高,集電極就會(huì)有電流流過,此時(shí),如果集電極與發(fā)射極之間存在高電壓,IGBT管就有可能發(fā)熱而損壞。


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