芯片( chip)
發(fā)布時(shí)間:2015/11/17 19:06:28 訪問次數(shù):29035
芯片( chip):芯片或器件 晶圓1:單個(gè)的集成電路或分立器件。DG303AAK/883芯片尺寸封裝( chip scale package):與芯片尺寸相當(dāng)?shù)男酒庋b形式.鉻(Cr):掩模版制造中的常用金屬.用來做生成電路圖形的薄層電路板(circuit board):參見印制電路板。
電路布局( circuit layout):為產(chǎn)生需要的電學(xué)參數(shù)而做的關(guān)于物理器件尺寸的計(jì)算,垂自尺度決定【:VI)和摻雜層厚度的規(guī)范;水平尺度決定晶圓圖形的尺度,并作為最終電路的比例繪斟(復(fù)合繪圖)的基礎(chǔ)。
凈化度( class number):在方英尺窄氣中污染物微粒的數(shù)量
凈化間( clean room):半導(dǎo)體器件制備的區(qū)域。室內(nèi)的潔凈度高度受控,以限制半導(dǎo)體町能接觸到的污染物的數(shù)量.
亮場掩模版( clear field mask):-種掩模版,其上的圖形由不透明區(qū)域決定。集簇設(shè)備( cluster tool):幾個(gè)I:藝機(jī)臺(tái)或設(shè)備共用同一加載一卸載室和晶圓傳送系統(tǒng),互補(bǔ)型場效應(yīng)晶體管( CMOS):N型和P型溝道MOS晶體管在同一芯片集電極( collector):與基區(qū)和發(fā)射區(qū)一起作為雙極型晶體管的重要區(qū)域,.
平行光束( collimated light):光線平行的光束,用于表面觀察.復(fù)合圖( composite drawing):最終電路的比例繪圖。電導(dǎo)性( conductivity):材料傳導(dǎo)電荷的能力(電導(dǎo)率以西門子為單位,電阻以歐姆為單位)導(dǎo)體( conductor):具有低電阻和高電導(dǎo)率的材料。接觸( contact):任金屬化過程中被重新覆蓋暴露的硅區(qū)域,形成到器件的電通路.接觸式光刻機(jī)( contact aligner):一種對(duì)準(zhǔn)設(shè)備,在光刻膠曝光前將晶圓和模板夾緊接觸接觸式掩模版( contact mask):在晶圓表面層七開孔,以允許金屬層達(dá)到摻雜硅的襯底上。
芯片( chip):芯片或器件 晶圓1:單個(gè)的集成電路或分立器件。DG303AAK/883芯片尺寸封裝( chip scale package):與芯片尺寸相當(dāng)?shù)男酒庋b形式.鉻(Cr):掩模版制造中的常用金屬.用來做生成電路圖形的薄層電路板(circuit board):參見印制電路板。
電路布局( circuit layout):為產(chǎn)生需要的電學(xué)參數(shù)而做的關(guān)于物理器件尺寸的計(jì)算,垂自尺度決定【:VI)和摻雜層厚度的規(guī)范;水平尺度決定晶圓圖形的尺度,并作為最終電路的比例繪斟(復(fù)合繪圖)的基礎(chǔ)。
凈化度( class number):在方英尺窄氣中污染物微粒的數(shù)量
凈化間( clean room):半導(dǎo)體器件制備的區(qū)域。室內(nèi)的潔凈度高度受控,以限制半導(dǎo)體町能接觸到的污染物的數(shù)量.
亮場掩模版( clear field mask):-種掩模版,其上的圖形由不透明區(qū)域決定。集簇設(shè)備( cluster tool):幾個(gè)I:藝機(jī)臺(tái)或設(shè)備共用同一加載一卸載室和晶圓傳送系統(tǒng),互補(bǔ)型場效應(yīng)晶體管( CMOS):N型和P型溝道MOS晶體管在同一芯片集電極( collector):與基區(qū)和發(fā)射區(qū)一起作為雙極型晶體管的重要區(qū)域,.
平行光束( collimated light):光線平行的光束,用于表面觀察.復(fù)合圖( composite drawing):最終電路的比例繪圖。電導(dǎo)性( conductivity):材料傳導(dǎo)電荷的能力(電導(dǎo)率以西門子為單位,電阻以歐姆為單位)導(dǎo)體( conductor):具有低電阻和高電導(dǎo)率的材料。接觸( contact):任金屬化過程中被重新覆蓋暴露的硅區(qū)域,形成到器件的電通路.接觸式光刻機(jī)( contact aligner):一種對(duì)準(zhǔn)設(shè)備,在光刻膠曝光前將晶圓和模板夾緊接觸接觸式掩模版( contact mask):在晶圓表面層七開孔,以允許金屬層達(dá)到摻雜硅的襯底上。
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