二維(面陣CCD圖)
發(fā)布時(shí)間:2016/1/30 22:23:09 訪問(wèn)次數(shù):1815
按照一定的方式將一維線陣CCD的光敏單元及移位寄存器排列成二維陣列,即可R1LP0408CSP-5SC構(gòu)成二維面陣CCD。由于排列方式不同,面陣CCD常有幀轉(zhuǎn)移方式、隔列轉(zhuǎn)移方式和線轉(zhuǎn)移方式3種。
幀轉(zhuǎn)移面陣CCD
圖7.25歷示是幀轉(zhuǎn)移三相面陣CCD的原理結(jié)構(gòu)圖。它由上、下兩部分組成,上半部分是集中了像素的光敏區(qū)域,下半部分是被遮光的存儲(chǔ)區(qū)域和水平移位寄存器(行讀出寄存器)。像敏區(qū)由并行排列的若干個(gè)(設(shè)m個(gè))電荷耦合溝道組成(圖中虛線方框),各溝道間用溝阻隔開(kāi),使溝道內(nèi)的電荷不能橫向移動(dòng),但水平驅(qū)動(dòng)電極橫貫各溝道,每個(gè)溝道有,2個(gè)光敏單元,因此整個(gè)光敏區(qū)有nxm個(gè)光敏單元。暫存區(qū)的結(jié)構(gòu)和單元數(shù)與光敏區(qū)相同,而暫存區(qū)和水平移位寄存器均被鋁遮蔽(如圖中的斜線部分)。
幀轉(zhuǎn)移面陣CCD工作過(guò)程是:圖像經(jīng)物鏡成像到成像區(qū),在場(chǎng)正程期間(為光積分區(qū)間),成像區(qū)的某一相電極加適當(dāng)?shù)钠珘,光生電荷將被收集到這些電極下方的勢(shì)阱里,這樣就將被攝光學(xué)圖像變成了光積分電極下的電荷包圖像,存儲(chǔ)于成像區(qū)。
按照一定的方式將一維線陣CCD的光敏單元及移位寄存器排列成二維陣列,即可R1LP0408CSP-5SC構(gòu)成二維面陣CCD。由于排列方式不同,面陣CCD常有幀轉(zhuǎn)移方式、隔列轉(zhuǎn)移方式和線轉(zhuǎn)移方式3種。
幀轉(zhuǎn)移面陣CCD
圖7.25歷示是幀轉(zhuǎn)移三相面陣CCD的原理結(jié)構(gòu)圖。它由上、下兩部分組成,上半部分是集中了像素的光敏區(qū)域,下半部分是被遮光的存儲(chǔ)區(qū)域和水平移位寄存器(行讀出寄存器)。像敏區(qū)由并行排列的若干個(gè)(設(shè)m個(gè))電荷耦合溝道組成(圖中虛線方框),各溝道間用溝阻隔開(kāi),使溝道內(nèi)的電荷不能橫向移動(dòng),但水平驅(qū)動(dòng)電極橫貫各溝道,每個(gè)溝道有,2個(gè)光敏單元,因此整個(gè)光敏區(qū)有nxm個(gè)光敏單元。暫存區(qū)的結(jié)構(gòu)和單元數(shù)與光敏區(qū)相同,而暫存區(qū)和水平移位寄存器均被鋁遮蔽(如圖中的斜線部分)。
幀轉(zhuǎn)移面陣CCD工作過(guò)程是:圖像經(jīng)物鏡成像到成像區(qū),在場(chǎng)正程期間(為光積分區(qū)間),成像區(qū)的某一相電極加適當(dāng)?shù)钠珘,光生電荷將被收集到這些電極下方的勢(shì)阱里,這樣就將被攝光學(xué)圖像變成了光積分電極下的電荷包圖像,存儲(chǔ)于成像區(qū)。
熱門點(diǎn)擊
- 半導(dǎo)體激光器(LD)直接調(diào)制的原理
- 散粒噪聲
- 循環(huán)碼的重要特點(diǎn)是
- 硅光電二極管原理圖及符號(hào)
- 溫度噪聲
- 硅光電二極管結(jié)構(gòu)及工作原理
- 調(diào)制盤及調(diào)制波形
- 正、負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器的溫度特性曲線是非線
- MM440變頻器的電路結(jié)構(gòu)
- 反饋信號(hào)可以分為電流反饋和速度反饋
推薦技術(shù)資料
- Arm Cortex-M33
- 功率MOSFET和電感器降壓模
- BGATE驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFE
- 升降壓充電管理芯片
- 新產(chǎn)品MPQ6539-AEC1
- MOSFET (HS-FET)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究