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二維(面陣CCD圖)

發(fā)布時(shí)間:2016/1/30 22:23:09 訪問(wèn)次數(shù):1815

   按照一定的方式將一維線陣CCD的光敏單元及移位寄存器排列成二維陣列,即可R1LP0408CSP-5SC構(gòu)成二維面陣CCD。由于排列方式不同,面陣CCD常有幀轉(zhuǎn)移方式、隔列轉(zhuǎn)移方式和線轉(zhuǎn)移方式3種。

   幀轉(zhuǎn)移面陣CCD

   圖7.25歷示是幀轉(zhuǎn)移三相面陣CCD的原理結(jié)構(gòu)圖。它由上、下兩部分組成,上半部分是集中了像素的光敏區(qū)域,下半部分是被遮光的存儲(chǔ)區(qū)域和水平移位寄存器(行讀出寄存器)。像敏區(qū)由并行排列的若干個(gè)(設(shè)m個(gè))電荷耦合溝道組成(圖中虛線方框),各溝道間用溝阻隔開(kāi),使溝道內(nèi)的電荷不能橫向移動(dòng),但水平驅(qū)動(dòng)電極橫貫各溝道,每個(gè)溝道有,2個(gè)光敏單元,因此整個(gè)光敏區(qū)有nxm個(gè)光敏單元。暫存區(qū)的結(jié)構(gòu)和單元數(shù)與光敏區(qū)相同,而暫存區(qū)和水平移位寄存器均被鋁遮蔽(如圖中的斜線部分)。

   幀轉(zhuǎn)移面陣CCD工作過(guò)程是:圖像經(jīng)物鏡成像到成像區(qū),在場(chǎng)正程期間(為光積分區(qū)間),成像區(qū)的某一相電極加適當(dāng)?shù)钠珘,光生電荷將被收集到這些電極下方的勢(shì)阱里,這樣就將被攝光學(xué)圖像變成了光積分電極下的電荷包圖像,存儲(chǔ)于成像區(qū)。

   

 


   按照一定的方式將一維線陣CCD的光敏單元及移位寄存器排列成二維陣列,即可R1LP0408CSP-5SC構(gòu)成二維面陣CCD。由于排列方式不同,面陣CCD常有幀轉(zhuǎn)移方式、隔列轉(zhuǎn)移方式和線轉(zhuǎn)移方式3種。

   幀轉(zhuǎn)移面陣CCD

   圖7.25歷示是幀轉(zhuǎn)移三相面陣CCD的原理結(jié)構(gòu)圖。它由上、下兩部分組成,上半部分是集中了像素的光敏區(qū)域,下半部分是被遮光的存儲(chǔ)區(qū)域和水平移位寄存器(行讀出寄存器)。像敏區(qū)由并行排列的若干個(gè)(設(shè)m個(gè))電荷耦合溝道組成(圖中虛線方框),各溝道間用溝阻隔開(kāi),使溝道內(nèi)的電荷不能橫向移動(dòng),但水平驅(qū)動(dòng)電極橫貫各溝道,每個(gè)溝道有,2個(gè)光敏單元,因此整個(gè)光敏區(qū)有nxm個(gè)光敏單元。暫存區(qū)的結(jié)構(gòu)和單元數(shù)與光敏區(qū)相同,而暫存區(qū)和水平移位寄存器均被鋁遮蔽(如圖中的斜線部分)。

   幀轉(zhuǎn)移面陣CCD工作過(guò)程是:圖像經(jīng)物鏡成像到成像區(qū),在場(chǎng)正程期間(為光積分區(qū)間),成像區(qū)的某一相電極加適當(dāng)?shù)钠珘,光生電荷將被收集到這些電極下方的勢(shì)阱里,這樣就將被攝光學(xué)圖像變成了光積分電極下的電荷包圖像,存儲(chǔ)于成像區(qū)。

   

 


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