電荷存儲(chǔ)方式的基本原理是：如果R5F211B2SP把光電二極管的PN結(jié)反向偏置到某一固定偏壓（一般為幾伏），然后斷開(kāi)電路，那么存儲(chǔ)在二極管電容上的電荷的衰減速度與入射光照度成正比。下面結(jié)合SSPD電路進(jìn)行分析。

   我們?nèi)〕鯯SPD中的一位電路來(lái)分析，如圖7.36 (a)所示。其中，Cd為光電：極管的等效電容（包括PN結(jié)電容和附加的MOS屯容），RL為負(fù)載電阻，礦為視頻線偏壓，VT，為與第f位二極管VDf相連的MOS FET開(kāi)關(guān)，Pi為第f位移位寄存器輸出的采樣脈沖信號(hào)。這里暫不考慮視頻等效電容Cd。圖7.36 (a)可轉(zhuǎn)化為圖7.36 (b)所示的等效電路。這里如為二極管在反偏下的暗電流，五為光電流。

   設(shè)tl時(shí)刻Pj為一負(fù)脈沖，如圖7.36 (c)所示，則VTi導(dǎo)通，偏壓電源V通過(guò)負(fù)載電阻R和開(kāi)關(guān)VTz使二極管電容Cd很快充電到偏壓礦，因而在Cd上存儲(chǔ)電荷Q=Cd Vo。當(dāng)毋的負(fù)脈沖結(jié)束后，VL截止，二極管VD，和電路斷開(kāi)，Cd上充滿的電荷逐漸衰減。在無(wú)光照時(shí)，光電流五=0，只有二極管的暗電流使電荷Q緩慢泄放。到下次采樣脈沖到來(lái)時(shí)（t2時(shí)刻）。