當(dāng)光照射到二極管上時(shí)，產(chǎn)生R5F21244SDFP光電流屯，使上述放電過(guò)程加速。在積分時(shí)間一定的情況，Cd上放掉的電荷Aq隨著光強(qiáng)Ⅳ的增大而增大，如圖7.36 (d)中的凰、H2等曲線所示。當(dāng)光強(qiáng)增大到某一光強(qiáng)Hs時(shí)，放掉的電荷Aqs=/LTS=Q=Cd礦，即二極管電容

Cd上原來(lái)充滿的電荷Q被全部放掉。此后，即使光強(qiáng)比Hs再增大，放掉的電荷Aq也不可能再增加。稱Qs= Cdy為飽和電荷，而Hs為飽和光強(qiáng)，稱Es= Hs Ts為飽和曝光量。

   顯然，如果tl～t2期間光強(qiáng)為H(t)，光電流為/L(廠)，都是時(shí)間f的函數(shù)，則tl～t2期間光電流放掉的電荷Aq，/為平均光電流�？梢�(jiàn)，這里有個(gè)積分效應(yīng)或積累效應(yīng)。

   第二個(gè)采樣脈沖到來(lái)時(shí)（t2時(shí)刻），MOS開(kāi)關(guān)VTf又導(dǎo)通，偏壓V通過(guò)負(fù)載R向二極管電容Cd再充電，使之恢復(fù)到原來(lái)的偏壓礦。顯然，補(bǔ)充的電荷等于積分時(shí)間內(nèi)Cd上消失的電荷Aq，再充電電流而的波形如圖7.36 (c)所示，其峰值隨光強(qiáng)H的增大而增大。厶在負(fù)載電阻RL上產(chǎn)生的電匿脈沖就是SSPD器件的視頻輸出信號(hào)。圖7.36 (d)是實(shí)現(xiàn)電荷存儲(chǔ)工作方式的單元結(jié)構(gòu)圖，這里把MOS開(kāi)關(guān)的源極和光電二極管的P區(qū)合為一體了。