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設(shè)置模型名

發(fā)布時間:2016/3/2 21:27:30 訪問次數(shù):581

   設(shè)置模型名:剛調(diào)入Rbreak符號時, B00018HA其模型名自動取為Rbreak。用戶可以修改模型名,也可以直接使用原來名稱。

   設(shè)置模型參數(shù)容差:在對差分對實(shí)例電路的MC分析中,考慮電阻RC1和RC2的容差為5%,就應(yīng)該在R=l的后面添加DEV蘭5%,即將圖4-16中的模型描述改為

   .model Rbreak RES R-l DEV-5%

   執(zhí)行File—Save命令。

    

   如果在第(2)步修改了模型名稱,則需要將電路圖中的電阻RC1和RC2的模型名Rbreak也做相應(yīng)修改。

   提示:PSpice AD中為半導(dǎo)體器件模型參數(shù)設(shè)置容差參數(shù)的方法與電阻情況類似。例如按照下述步驟可以為差分對電路中Q2N2222晶體管的模型參數(shù)設(shè)置容差參數(shù).

 


   設(shè)置模型名:剛調(diào)入Rbreak符號時, B00018HA其模型名自動取為Rbreak。用戶可以修改模型名,也可以直接使用原來名稱。

   設(shè)置模型參數(shù)容差:在對差分對實(shí)例電路的MC分析中,考慮電阻RC1和RC2的容差為5%,就應(yīng)該在R=l的后面添加DEV蘭5%,即將圖4-16中的模型描述改為

   .model Rbreak RES R-l DEV-5%

   執(zhí)行File—Save命令。

    

   如果在第(2)步修改了模型名稱,則需要將電路圖中的電阻RC1和RC2的模型名Rbreak也做相應(yīng)修改。

   提示:PSpice AD中為半導(dǎo)體器件模型參數(shù)設(shè)置容差參數(shù)的方法與電阻情況類似。例如按照下述步驟可以為差分對電路中Q2N2222晶體管的模型參數(shù)設(shè)置容差參數(shù).

 


相關(guān)技術(shù)資料
3-2設(shè)置模型名
10-18TIL門驅(qū)動CMOS門
相關(guān)IC型號
B00018HA
B00017
B00017HA
B00019HA

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