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TIL門驅(qū)動(dòng)CMOS門

發(fā)布時(shí)間:2013/10/18 20:14:05 訪問次數(shù):1196

    用TTI。電路驅(qū)動(dòng)74HCT系列CMOS電路時(shí),由于高、低電平參數(shù)兼容,B00018HA不需另加接口電路。當(dāng)74HC系列CMOS為負(fù)載器件時(shí),TTL輸出低電平參數(shù)與74HC的輸入低電平參數(shù)兼容,但是高電平參數(shù)不兼容。例如74LS系列的VOH(mi。)為2.7V,而74HC系列的VIH(為3.5V。為了解決這一矛盾,通常采用如圖6.5.2所示的方法,在TTL的輸出端與+SV電源之間接一個(gè)上拉電阻RP,上拉電阻的阻值取決于負(fù)載器件的數(shù)目,以及TTI。和CMOS的電流參數(shù)。但須注意,如果RP取值不太大,Vol將被提高至接近DD。

          
    圖6.5.2  TTL門驅(qū)動(dòng)74HC CMOS門
    由于TTL驅(qū)動(dòng)74HCT系列CMOS時(shí),不需另加接口電路。因此,在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中,常用74HCT系列器件當(dāng)作接口電路,以省去上拉電阻。
    低電壓CMOS電路及接口
    為減小功耗,CMOS電路常采用低電源電壓。另外,半導(dǎo)體制造工藝使晶體管尺寸越做越小,CMOS的柵極與源極、柵極與漏極間的絕緣層越來(lái)越薄,不足以承受5V的電源電壓,半導(dǎo)體廠家推出了供電電壓為3. 3V、2.5V和1.8V等一系列的低電壓集成電路。

              
     3V供電電源的CMOS邏輯器件74LVC系列具有5V輸入容限,即輸入端可以承受5V輸入電壓,因此,可以與HCT系列CMOS或TTL系列直接接口。當(dāng)74LVC系列驅(qū)動(dòng)HC系列CMOS門耐,高電平參數(shù)不滿足,可以用上拉電阻、OD門(相當(dāng)于TTLOC門)或采用專門的邏輯電平轉(zhuǎn)換器。

    用TTI。電路驅(qū)動(dòng)74HCT系列CMOS電路時(shí),由于高、低電平參數(shù)兼容,B00018HA不需另加接口電路。當(dāng)74HC系列CMOS為負(fù)載器件時(shí),TTL輸出低電平參數(shù)與74HC的輸入低電平參數(shù)兼容,但是高電平參數(shù)不兼容。例如74LS系列的VOH(mi。)為2.7V,而74HC系列的VIH(為3.5V。為了解決這一矛盾,通常采用如圖6.5.2所示的方法,在TTL的輸出端與+SV電源之間接一個(gè)上拉電阻RP,上拉電阻的阻值取決于負(fù)載器件的數(shù)目,以及TTI。和CMOS的電流參數(shù)。但須注意,如果RP取值不太大,Vol將被提高至接近DD。

          
    圖6.5.2  TTL門驅(qū)動(dòng)74HC CMOS門
    由于TTL驅(qū)動(dòng)74HCT系列CMOS時(shí),不需另加接口電路。因此,在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中,常用74HCT系列器件當(dāng)作接口電路,以省去上拉電阻。
    低電壓CMOS電路及接口
    為減小功耗,CMOS電路常采用低電源電壓。另外,半導(dǎo)體制造工藝使晶體管尺寸越做越小,CMOS的柵極與源極、柵極與漏極間的絕緣層越來(lái)越薄,不足以承受5V的電源電壓,半導(dǎo)體廠家推出了供電電壓為3. 3V、2.5V和1.8V等一系列的低電壓集成電路。

              
     3V供電電源的CMOS邏輯器件74LVC系列具有5V輸入容限,即輸入端可以承受5V輸入電壓,因此,可以與HCT系列CMOS或TTL系列直接接口。當(dāng)74LVC系列驅(qū)動(dòng)HC系列CMOS門耐,高電平參數(shù)不滿足,可以用上拉電阻、OD門(相當(dāng)于TTLOC門)或采用專門的邏輯電平轉(zhuǎn)換器。

相關(guān)技術(shù)資料
3-2設(shè)置模型名
10-18TIL門驅(qū)動(dòng)CMOS門
相關(guān)IC型號(hào)
B00018HA
B00017
B00017HA
B00019HA

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