關(guān)于電路設(shè)計(jì)的性能分析
發(fā)布時間:2016/3/5 19:50:19 訪問次數(shù):604
在電路設(shè)計(jì)的過程中,GM7230AU調(diào)用PSpice模擬分析電路特性以后,利用Probe的Performance Analysis【電路性能分析)功能,可以得到電路基本特性(如運(yùn)放的帶寬和增益)與電路中某些元器件參數(shù)取值之間的關(guān)系(見5.5節(jié)),這樣就可以根據(jù)電路特性的要求,確定元器件參數(shù)的最佳設(shè)計(jì)值,有助于改善電路設(shè)計(jì)水平。
繪制直方圖
通過蒙特卡羅(MC)分析,可模擬計(jì)算在實(shí)際生產(chǎn)中電路特性參數(shù)的分散情況。在MC分析以后調(diào)用Probe,可以用直方圖顯示電路特性參數(shù)的具體分布(見5.6節(jié))。
信號波形數(shù)據(jù)文件的生成
在用Probe顯示和分析信號波形的過程中,可以根據(jù)需要,將窗口中顯示的波形曲線轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)存入文件,供用戶進(jìn)一步分析、使用(見第7章)。
在電路設(shè)計(jì)的過程中,GM7230AU調(diào)用PSpice模擬分析電路特性以后,利用Probe的Performance Analysis【電路性能分析)功能,可以得到電路基本特性(如運(yùn)放的帶寬和增益)與電路中某些元器件參數(shù)取值之間的關(guān)系(見5.5節(jié)),這樣就可以根據(jù)電路特性的要求,確定元器件參數(shù)的最佳設(shè)計(jì)值,有助于改善電路設(shè)計(jì)水平。
繪制直方圖
通過蒙特卡羅(MC)分析,可模擬計(jì)算在實(shí)際生產(chǎn)中電路特性參數(shù)的分散情況。在MC分析以后調(diào)用Probe,可以用直方圖顯示電路特性參數(shù)的具體分布(見5.6節(jié))。
信號波形數(shù)據(jù)文件的生成
在用Probe顯示和分析信號波形的過程中,可以根據(jù)需要,將窗口中顯示的波形曲線轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)存入文件,供用戶進(jìn)一步分析、使用(見第7章)。
上一篇:Probe的功能
熱門點(diǎn)擊
- 電荷存儲方式工作原理圖
- 輸入激勵信號波形的設(shè)置
- 設(shè)置掃描類型
- 差動變壓器式位移傳感器是利用電磁感應(yīng)的原理進(jìn)
- 電荷存儲方式工作原理
- 采用計(jì)數(shù)法測量頻率的基本原理
- 濾光片參數(shù)的設(shè)計(jì)和選擇
- LED的正向壓降呈現(xiàn)負(fù)溫度系數(shù)和二極管性質(zhì)
- 非相干檢測方法與系統(tǒng)
- CMOS像素結(jié)構(gòu)
推薦技術(shù)資料
- 驅(qū)動板的原理分析
- 先來看看原理圖。圖8所示為底板及其驅(qū)動示意圖,F(xiàn)M08... [詳細(xì)]
- 650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片
- 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先8英寸硅基氮化鎵技術(shù)工
- 新一代600V超級接面MOSFET KP38
- KEC 第三代SuperJunction M
- KEC半導(dǎo)體650V碳化硅(SiC)肖特基二
- Arrow Lake U 系列
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究