ICP隨VB的變化情況。在區(qū)域3中，偏置電壓VB低于平帶電壓VFB，而AD590JH脈沖頂高于閾值電壓VT，發(fā)生CP效應(yīng)即產(chǎn)生電荷泵電流。在區(qū)域1中，柵脈沖的頂部及底部都低于V FB，界面態(tài)一直由空穴填充，沒(méi)有復(fù)合電流產(chǎn)生。在區(qū)域5中，溝道一直處于反型狀態(tài)，沒(méi)有空穴能到達(dá)表面，也不產(chǎn)生Ic，，只存在漏電流。當(dāng)從區(qū)域3向區(qū)域1過(guò)渡，脈沖頂部達(dá)不到VT時(shí)（區(qū)域2），溝道電子急劇減少，，。，在Vt -AVA處急速下降。在區(qū)域4中，脈沖底部比V FB高，汝有空穴流人，在VF。處J。，也急速下降。ICP的幅值是界面態(tài)的一種度量，由CP特性的趨勢(shì)可推導(dǎo)出VT和VFB。當(dāng)溝道中發(fā)生局部退化時(shí)，器件的CP特性是溝道退化部分和未退化部分特性之和。因此，施加電應(yīng)力后ICP值的增加，反映了D。的局部或均勻增加，CP特性邊緣的畸變或向正（負(fù)）的VB方向漂移，表明局部或均勻的負(fù)（正）氧化層電荷的存在。圖4. 10表示N-MOSFET在電子束輻照前后的CP曲線，由ICP幅值增加可算出D．．從原來(lái)的1.7×loio cm-2．eV-l增加到6.6×1011Cffl1．eV-1，同時(shí)伴有曲線邊緣的伸展。輻照后曲線向左移動(dòng)，表明氧化層內(nèi)和界面處有凈的正電荷產(chǎn)生。因此CP技術(shù)可給出更多更精確的MOS器件界面信息，即使發(fā)生局部退化，也能提供誘生界面陷

阱的數(shù)量以及被柵介質(zhì)俘獲電荷量的性質(zhì)及大小。它不僅用于熱載流子效應(yīng)的研究，還可用于F-N隧穿電流應(yīng)力、輻照損傷的研究。