其次，為防止外界水分、AD620ANZ雜質(zhì)等的侵入，芯片外一般加有保護(hù)的鈍化膜。鈍化層原來(lái)采用磷硅玻璃，后來(lái)采用等離子體氮化硅膜。這種膜中含有氫，氫的原子半徑很小，極易擴(kuò)散進(jìn)入柵下Si-Si0。界面處，取代氧與硅形成Si-H、Si-OH鍵，熱載流子的注入使 Si-H、Si-OH鍵破壞，在氧化層中形成Q，�；騋。。，從而使熱流子效應(yīng)嚴(yán)重。針對(duì)這一問(wèn)題，可用化學(xué)氣相沉積的氮化硅膜保護(hù)柵極區(qū)來(lái)防止氫原子擴(kuò)散進(jìn)入。

   一些研究證明，工作在交流條件下器件熱載流子的退化比直流條件下更嚴(yán)重。

   漏極附近電場(chǎng)強(qiáng)度的增加是引發(fā)溝道熱載流子效應(yīng)的原因，因此，要減輕漏極附近的場(chǎng)強(qiáng)，比較有效的措施是采用輕摻雜源一漏(Lightly Doped Drain-Source，LDDS)結(jié)構(gòu)，使雪崩注入?yún)^(qū)向硅襯底下移，離開(kāi)柵界面處，。

   對(duì)深亞微米器件，還可采用P-I-N漏MOSFET結(jié)構(gòu)來(lái)抑制熱載流子效應(yīng)，所謂P-I-N漏結(jié)構(gòu)是在常規(guī)溝道區(qū)的源一漏端赴降低摻雜濃度至接近本征的lois／cn3～l016／Cm3（N溝道仍為P區(qū)），可進(jìn)一步降低近漏端電場(chǎng)強(qiáng)度。

   此外，工作時(shí)限制V DS及VBS的大小，也可改善熱載流子效應(yīng)。