貝爾實驗室又構思出了在晶圓的表面沉積一層稱為外延層( epitaxial layer)的高純度膜，AD8132ARMZ再在其j二形成晶體管的技術（見第12章），使用這種技術町制作出更高速度的晶體管，并提供r -個使得在雙極型電路中元件封裝更緊密的方案。

   20世紀50年代的確是半導體發(fā)展的黃金時期，幾乎所有基本的工藝和材料都是在這個非常短的時期內開發(fā)出來的。在這十年里，由開始用鍺材料制造小量的簡單器件，發(fā)展到奠定r半導體未來的第一塊集成電路和硅材料的基礎，

   在要求新的制造L：藝、新的材料和新的制造設備以制造出新產(chǎn)品的推動下，20世紀60年代是該行業(yè)開始成長為成熟工業(yè)的十年。該行業(yè)芯片價格的下降趨勢也是20世紀50年代建訌的產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動力。

   技術隨著程師在硅谷、環(huán)波t：頓周邊的第128rj-路以及得克薩斯州的不同公司間的流動而傳播，到r 20世紀60年代，芯片制造廠的數(shù)量猛增，并且【藝接近了吸引半導體特殊供應商的水平.

   20世紀50年代的許多關鍵人物創(chuàng)建了新公司。Robert Noyce離開了仙童(Fairchild)公司建諺r英特爾公司（‘j Andrew Grove和Cordon Moore一起），Charles Sporck也離開了仙童公r習開始經(jīng)營國家半導體公司，Signetics公司成為第一家專門從事集成電路制造的公司、，新器件設計通常是公司開始的動力，然而，價格的下跌是一個殘酷的趨勢，會將許多新、老公司驅逐出局.

   1963午，塑封在硅器件E的使用加速了價格的下跌，同一年，美國無線電( RCA)公司宣布開發(fā)出廠絕緣場效應管( IFET)，這為MOS工業(yè)的發(fā)展鋪平了道路。RCA還制造出了第一個互補型MOS( CMOS)電路。