在20世紀70年代初，半導(dǎo)體AD8139ARDZ集成電路的制造主要在中規(guī)模集成電路( MSI)的水平，向有利潤并高產(chǎn)的大規(guī)模集成電路( LSJ)的發(fā)展在某種程度上受到了掩模版引起的缺陷和由接觸光刻機（Contact Aligner）造成的晶圓損傷的阻礙。Perkin and Elmer公司開發(fā)出了第一個實際應(yīng)用的投射光刻機，從而解決了掩模版和光刻機的缺陷問題。

   在這f‘年中，潔凈間的結(jié)構(gòu)和運行得到r提高，并出現(xiàn)了離子注入機，用于高質(zhì)量掩模版的電子束( e-beam)機，以及用于晶圓光刻掩模步進式光刻機(Stepper)開始出現(xiàn)。

   工藝過程的自動化從旋轉(zhuǎn)涂膠／烘焙和顯影／烘焙開始，從操作員控制發(fā)展到工藝過程的自動控制提高r產(chǎn)量和產(chǎn)品的一致性。

   20世紀80年代的焦點是如何從生產(chǎn)區(qū)域取消操作工和如何實現(xiàn)晶圓制造、封裝的全程自動化，、自動化提高了制造效率，使加工失誤減到最小，并保持晶圓制造區(qū)更少的沾污。300 mm的晶圓在20世紀90年伐被引入，進一步促進了對自動化晶圓廠的需求（見第4章和第15章）、

   20世紀80年代的10年以美國和歐洲占統(tǒng)治地位開始，以半導(dǎo)體成為全球產(chǎn)業(yè)而結(jié)束j從20世紀70到80年代，1肌m特征圖形尺寸的障礙顯示了機遇和挑戰(zhàn)。機遇是指，這會是一個具有極高的速度和存儲能力自‘萬芯片的紀元。挑戰(zhàn)是指傳統(tǒng)光刻由于新增層、更大的晶圓表面臺階高度變化和晶圓直徑增大造成的局限。l¨m的障礙是在20世紀90年初期被突破的，50%的微芯片生產(chǎn)線在生產(chǎn)微米級和低于微米級的產(chǎn)品7。