界面陷阱電荷(Interface Trap Charge)Q

    Q，也叫快表面態(tài)或界面態(tài)，起源于Si-Si0：界面的結(jié)構(gòu)缺陷、氧化感生缺陷，以及金RF2046屬雜質(zhì)和輻射等因素引起的其他缺陷。如Si-Si0。界面的硅原子處，由于硅原子在S102方向上的晶格結(jié)構(gòu)整齊排列的中斷，從而產(chǎn)生的所謂懸掛鍵，就是一種結(jié)構(gòu)缺陷。這種結(jié)構(gòu)缺陷可接受空穴或電子而帶一定的電荷，此即界面陷阱電荷。接受電荷即懸掛鍵與硅表面交換電子或空穴，從而調(diào)制了硅表面勢，造成器件參數(shù)昀不穩(wěn)定性。此外，這種界面陷阱尚可同時俘獲一個電子或一個空穴而起復(fù)合中心的作用，這導(dǎo)致器件表面漏電，l/f噪聲增加和電流增益（跨導(dǎo)）降低。

   氧化層陷阱電荷(Oxide Trap Charge)Q。。

   Q可以是正電荷，也可以是負(fù)電荷，這取決于氧化層陷阱中俘獲的是空穴還是電子，而這些被俘獲的載流子來自X射線、7射線或電子束在氧化層中引起的輻射電離，以及溝道內(nèi)或襯底的熱載流子的注入。

   以上4種電荷，除了在硅熱氧化等生產(chǎn)工藝過程中形成的之外，在隨后器件工作時也會不斷產(chǎn)生。如Na+等離子沾污，可從外界環(huán)境中通過擴(kuò)散進(jìn)入氧化層中。溝道或襯底中的熱載流子可越過Si-Si0。壁壘進(jìn)入氧化層中，在Si與S102的過渡區(qū)內(nèi)如能打斷Si-H、

Si-OH鍵或者形成其他缺陷，即產(chǎn)生外加熱、應(yīng)力條件下產(chǎn)生Q．。及Q。。的情況，可從MOS電容樣品的高頻C-V曲線上得知。而電荷汞技術(shù)的采用，更是研究氧化層內(nèi)電荷變化特別是Q．，分布的一個有力工具。