氧化層中存在上述4種電荷，當(dāng)這些電荷位置或密度變化時(shí)，調(diào)制了硅表面勢(shì)，因此RF2048凡是與表面勢(shì)有關(guān)的各種電參數(shù)均受到影響。如對(duì)雙極性器件，導(dǎo)敢電流增益和PN結(jié)反漏電電流變化，擊穿電壓蠕變等。對(duì)MOS器件引起閾值電壓及跨導(dǎo)漂移，甚至源一漏擊穿；對(duì)電荷耦合器件則引起轉(zhuǎn)移效率降低等。在這4種電荷中，以可動(dòng)離子電荷最不穩(wěn)定，對(duì)器件可靠性的影響最大。

   氧化層電荷對(duì)可靠性的影響有下述幾方面。

   增加PN結(jié)反向漏電電流，降低結(jié)的擊穿電壓

   當(dāng)氧化層中Na+全部遷移至Si0。表面時(shí)，Qm等于“零”；當(dāng)Na+全部集中在Si-S102界面時(shí)，Qm為最大。在PNP晶體管中，它可使P區(qū)表面反型，形成溝道漏電電流，從而引起擊穿，如圖4.5所示。在NPN晶體管中引起基區(qū)表面反型，產(chǎn)生溝道，導(dǎo)致TTL電 路多發(fā)射極晶體管交叉漏電增加，輸出管高電平幅度降低，甚至失效。