陷阱產(chǎn)生的物理模型如圖4. 13所示，在高電場(chǎng)作用下，原子間鍵如Si-Si鍵或Si-O鍵斷裂， C3225JB0J107MT000N在氧化層內(nèi)部或界面處產(chǎn)生陷阱，其荷電狀態(tài)可從外部電場(chǎng)作用下以隧穿的充放電方式而變化，從而帶正電、負(fù)電甚至呈中性。荷電狀態(tài)的變化并不消除陷阱，這與前述陷阱由空穴或電子表征不同。除Si-0斷鍵外，氧化層內(nèi)雜質(zhì)原子（特別是氫、氮、氬、碳、氯、氟等）也可產(chǎn)生不同能量的陷阱。依據(jù)這些陷阱所在的位置，而分別叫做氧化層陷阱、界面陷阱等。

   氧化層在施加高電場(chǎng)應(yīng)力后，其I-V特性中發(fā)生隧穿前的電流比施加高場(chǎng)應(yīng)力前增加，在電壓脈沖移去后，其瞬態(tài)電流正比于氧化層中產(chǎn)生的陷阱數(shù)，反比于時(shí)間￡，而且陷阱的產(chǎn)生是均勻隨機(jī)分布的。如電子注入的界面處粗糙不平，可能伴隨較高的陷阱產(chǎn)生速率，從而導(dǎo)致較短的擊穿時(shí)間。利用隧穿波陣分析，可確定陷阱產(chǎn)生與電壓、應(yīng)力流、極性及時(shí)間的關(guān)系。實(shí)測(cè)表明：體陷阱產(chǎn)生數(shù)與應(yīng)力流的1／3次方程正比，界面態(tài)的產(chǎn)生數(shù)與應(yīng)力流的1／2次方成正比，而與電壓極性及襯底類型無關(guān)。陷阱的產(chǎn)生與極性無關(guān)，表明熱載流子或碰撞電離不涉及薄氧化層中陷阱的產(chǎn)生。方次的不同說明界面態(tài)的陷阱是二雛的，而體陷阱本質(zhì)上是三維的。當(dāng)體（界面）陷阱密度在l019／cm3(1012 /Cl'l'12．eV)范圍時(shí)，氧化物就引發(fā)擊穿。