電阻率:可高達1015~1016Ω・cm;sio禁帶寬度相當(dāng)寬,約0.%V,因此是比較理想的絕緣體。

   介電強度和介電常數(shù):物質(zhì)的SFB0212HH-F00介電強度與薄膜結(jié)構(gòu)的致密性、均勻性以及雜質(zhì)總量均有直接關(guān)系。S⒑2的薄膜介電強度可達1J~Io7v/cm,可以承受較高的電壓,適宜做器件的絕緣膜。s⒑2的介電系數(shù)則為3.9左右。薄膜密度:S⒑2密度與制備方法有關(guān),一般在2.0~2.3g/cm3之間。折射率通常為1.45左右,密度高折射率稍大。

   化學(xué)穩(wěn)定性:⒐oo的化學(xué)穩(wěn)定性較高,它不溶于水和氫氟酸以外的酸。被氫氟酸腐蝕的化學(xué)方程式如下:

   sio2+4HF=SiF4+2H20

   siF4+2HF=H2SiF6

   H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的絡(luò)合物,利用這個性質(zhì)可以很容易通過光刻工藝實現(xiàn)選擇性腐蝕s⒑2。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率,腐蝕so2的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成。

  在生產(chǎn)中利用S⒑2與氫氟酸反應(yīng)的性質(zhì),完成對S02腐蝕的目的。so2腐蝕速率的快慢與氫氟酸的濃度、溫度、S⒑2的質(zhì)量以及所含雜質(zhì)的數(shù)量等情況有關(guān)。不同方法制備的S⒑2,其腐蝕速率可能相差很大。不同方法制各的s⒑2,其物理特性有所不同,如表2,2所示。