單晶硅表面上總是覆蓋著一層So2,即使是剛剛解理的單晶硅,在室溫下,只S606N-1000要在空氣中一暴露就會(huì)在表面上形成幾個(gè)原子層的氧化膜。當(dāng)把硅晶片暴露在高溫且含氧的環(huán)境里一段時(shí)間后,硅晶片的表面會(huì)生長一層與硅附著性良好且具有高度穩(wěn)定的化學(xué)性和電緣性的⒏o2。正因?yàn)閟io2具有這樣好的性質(zhì),它在半導(dǎo)體工業(yè)

中的應(yīng)用非常廣泛。根據(jù)不同的需要,so2被用于器件的柵介質(zhì)層、絕緣層和鈍化層,以及電性能的隔離等。除了可以用硅晶片加熱的方法來制備so2外,還可以用各種化學(xué)氣相沉積(Chemical碭por Dcp∝itic,n,CVD)來獲得,如APCVD(常壓CVD,Atmosphcr妃Press刂c CVD)、LPCVD(低壓CVD,Low Presstlrc CVD)及PECⅤD(等離子增強(qiáng)CVD,Plasma Enhanced CVD)等。s⒑2VLsI/ULSI中的應(yīng)用如表2.1所示。