注入離子所造成的晶格損傷,對材料的電學(xué)性質(zhì)將產(chǎn)生重要的影響。例如由A3245EUA于散射中心的增加,使載流子遷移率下降;缺陷中心的增加,會(huì)使非平衡少數(shù)載流子的壽命減少,PN結(jié)的漏電流也因此而增大。另外,離子注入的摻雜機(jī)理與熱擴(kuò)散不同,在離子注入中,是把欲摻雜的原子強(qiáng)行射入晶體內(nèi),被射入的雜質(zhì)原子大多數(shù)都存在于晶格間隙位置,起不到施主或受主的作用。而且注入?yún)^(qū)的晶體結(jié)構(gòu)又不同程度地受到破壞,注入的雜質(zhì)更難處于替代位置。如果注入已變?yōu)榉蔷^(qū),根本就談不上替位與間隙。所以,采用離子注入技術(shù)進(jìn)行摻雜的硅片,必須消除晶格損傷,并使注入的雜質(zhì)轉(zhuǎn)入替位位置以實(shí)現(xiàn)電激活。晶格損傷的消除采用熱退火的方式進(jìn)行,恢復(fù)其少子壽命和遷移率,使摻入的雜質(zhì)進(jìn)入晶格位置,實(shí)現(xiàn)一定比例的電激活。