sio2的制備方法有許多種,包括熱氧化法、熱分解法、濺射法、真空蒸發(fā)法、陽極氧化法、 SG40281B1-000U-G99等離子氧化法等。各種制備方法各有特點(diǎn),不過,熱氧化法是應(yīng)用最為廣泛的,這是由于它不僅具有工藝簡單、操作方便、氧化膜質(zhì)量最佳、膜的穩(wěn)定性和可靠性好等優(yōu)點(diǎn),還能降低表面懸掛鍵,從而使表面態(tài)勢密度減小,很好地控制界面陷阱和固定電荷。

   1.三種熱氧化法

   硅的熱氧化是指在1000℃以上的高溫下,與含氧物質(zhì)(如氧氣、水汽)反應(yīng)生成sio2的過程。熱氧化法包括干氧氧化、水汽氧化和濕氧氧化三種方法。

   (1)干氧氧化。干氧氧化是在高溫下,氧分子與硅直接反應(yīng)生成S⒑2的過程,反應(yīng)式如下:

   Si+02ˉ÷sio2

   干氧生長的氧化膜表面干燥,結(jié)構(gòu)致密,光刻時(shí)與光刻膠接觸良好,不易產(chǎn)生浮膠,但氧化速率極慢。

   (2)水汽氧化。水汽氧化是指在高溫下,硅與高純水蒸氣反應(yīng)生成S⒑2膜的過程,反應(yīng)式如下:

   si+2H02→Sio2+2H2