(1)溫度。實驗表T5750-TAQ明,氧化速率隨溫度的升高而增加。實際生產(chǎn)中,熱氧化的溫度選擇在10OO~1200℃之間。

   (2)時間。熱氧化生長Si02中的Si來源于硅表面,也就是說,只有Si表面處的硅才能與氧化劑起化學反應(yīng)生成SiO2層。隨著反應(yīng)繼續(xù)進行,si表面位置不斷向Si內(nèi)方向移動,因此,Si的熱氧化將有一個潔凈的界面,氧化劑中沾污物將留在s⒑2表面。根據(jù)生產(chǎn)實踐,生成的So2分子數(shù)與消耗掉的si原子數(shù)是相等的,所以,要生長一個單位厚度的S⒑2,就得消耗掉0。狃個單位厚度的Si層。當氧化時間很短時,S⒑2的厚度與時間成線性關(guān)系。隨著時間增長,氧化層加厚的速率變 慢,即氧化速率下降。

   (3)晶格方向。(111)晶面的原子密度比<10O>晶面的原子密度大,因此,(111>晶面的si-so2界面處的反應(yīng)速率也較快。但從氧化膜質(zhì)量的角度來看,(100>晶面的缺陷密度較低,這也是生產(chǎn)制造中采用(1O0>晶面的原因。

   (4)壓強。氧化的速率與氧化劑運動到si表面的速率有關(guān),而壓力可以強迫氧分子更快地通過正在生長的氧化層,所以壓力越高,氧化速率越快。高壓氧化的優(yōu)點:縮短氧化時間或者降低氧化溫度。在氧化速率不變的前提下,每增加一個大氣壓的壓力,氧化爐內(nèi)的溫度可降低30℃。高壓氧化比較適合生長厚的場氧層。

   (5)雜質(zhì)濃度。Ⅲ―V族雜質(zhì)可以提高氧化劑在sio2中的擴散速率,所以重摻雜si的氧化速率高于輕摻雜Si。

   (6)特定的雜質(zhì)。某些特定的雜質(zhì),如Cl可以使氧化速率明顯增加,在摻氯氧化或有HCl的情況下,生長率可提高1%~5%。