光刻工藝產(chǎn)生的微缺陷
發(fā)布時間:2016/6/13 21:38:22 訪問次數(shù):3476
光刻工藝的質(zhì)量不僅影響器件的特性,而且對器件的成品率和可靠性也有很大影響,對光刻質(zhì)量的要求是刻蝕的圖形完整、尺寸準(zhǔn)確、 HAT2189WP-EL-E邊緣整齊;圖形外氧化層上沒有針孔,同時要求套合準(zhǔn)確、無污點(diǎn)等。對氧化工藝過程的要求則是氧化層的厚度均勻,結(jié)構(gòu)致密,與光刻膠的黏附良好,不易產(chǎn)生浮膠現(xiàn)象。對金屬化工藝過程的要求則是與絕緣介質(zhì)膜有良好的黏附性、層間接觸電阻要小、無污點(diǎn)等。光刻過程中,常會出現(xiàn)浮膠、毛刺、鉆蝕、針孔和小島等缺陷,影響柵氧和金屬化的可靠性。
浮膠是指顯影或腐蝕過程中,由于化學(xué)試劑不斷浸入光刻膠膜與S⒑2或其他薄膜間的界面,引起抗蝕劑膠膜皺起或剝落的現(xiàn)象。產(chǎn)生浮膠的原因有涂膠前硅片表面不清潔,沾有油污或水汽,使膠膜與硅片表面間沾潤不良;光刻膠配制有誤或膠液陳舊變質(zhì),膠的光化學(xué)反應(yīng)性能不好,與硅片表面黏附能力差。前烘時間不足或過度;曝光不足,光化學(xué)反應(yīng)不徹底,部分膠膜溶于顯影液中,引起浮膠;顯影時間過長;腐蝕時產(chǎn)生浮膠的原因有堅膜不足,膠膜沒有烘透,黏附性差,在腐蝕液作用下引起浮膠;腐蝕液配比不當(dāng),如腐蝕sio的氫氟酸緩沖腐蝕液中氟化銨太少,腐蝕液活潑性太強(qiáng);腐蝕溫度太低或太
高,溫度太低,腐蝕時間太長,腐蝕液穿透或從膠膜底部滲入,引起浮膠,溫度太高,則腐蝕液活潑性強(qiáng),也可能產(chǎn)生浮膠。
光刻工藝的質(zhì)量不僅影響器件的特性,而且對器件的成品率和可靠性也有很大影響,對光刻質(zhì)量的要求是刻蝕的圖形完整、尺寸準(zhǔn)確、 HAT2189WP-EL-E邊緣整齊;圖形外氧化層上沒有針孔,同時要求套合準(zhǔn)確、無污點(diǎn)等。對氧化工藝過程的要求則是氧化層的厚度均勻,結(jié)構(gòu)致密,與光刻膠的黏附良好,不易產(chǎn)生浮膠現(xiàn)象。對金屬化工藝過程的要求則是與絕緣介質(zhì)膜有良好的黏附性、層間接觸電阻要小、無污點(diǎn)等。光刻過程中,常會出現(xiàn)浮膠、毛刺、鉆蝕、針孔和小島等缺陷,影響柵氧和金屬化的可靠性。
浮膠是指顯影或腐蝕過程中,由于化學(xué)試劑不斷浸入光刻膠膜與S⒑2或其他薄膜間的界面,引起抗蝕劑膠膜皺起或剝落的現(xiàn)象。產(chǎn)生浮膠的原因有涂膠前硅片表面不清潔,沾有油污或水汽,使膠膜與硅片表面間沾潤不良;光刻膠配制有誤或膠液陳舊變質(zhì),膠的光化學(xué)反應(yīng)性能不好,與硅片表面黏附能力差。前烘時間不足或過度;曝光不足,光化學(xué)反應(yīng)不徹底,部分膠膜溶于顯影液中,引起浮膠;顯影時間過長;腐蝕時產(chǎn)生浮膠的原因有堅膜不足,膠膜沒有烘透,黏附性差,在腐蝕液作用下引起浮膠;腐蝕液配比不當(dāng),如腐蝕sio的氫氟酸緩沖腐蝕液中氟化銨太少,腐蝕液活潑性太強(qiáng);腐蝕溫度太低或太
高,溫度太低,腐蝕時間太長,腐蝕液穿透或從膠膜底部滲入,引起浮膠,溫度太高,則腐蝕液活潑性強(qiáng),也可能產(chǎn)生浮膠。
上一篇:32nm利22nm的光刻
熱門點(diǎn)擊
- 光刻工藝產(chǎn)生的微缺陷
- 半導(dǎo)體集成電路制造的環(huán)境要求
- 光刻膠的去除
- 二次擊穿
- 間隙式擴(kuò)散
- 焊接后清潔度要求
- 緊固件安裝基本要求
- 影響氧化物生長的因素
- ARES PCB Layout提供了生成OD
- 溫度敏感元器件的配送要求
推薦技術(shù)資料
- 泰克新發(fā)布的DSA830
- 泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺儀器中同時實(shí)現(xiàn)時域和頻域分析,DS... [詳細(xì)]
- 高性能 32 位 RISC-V
- 全新無線通信模組— ML321
- 6納米制程射頻(RF)和藍(lán)牙先
- 先進(jìn)芯片和功率芯片市場需求及發(fā)
- 海思凌霄網(wǎng)絡(luò)760解決方案解讀
- 新型無線短距通信星閃技術(shù)(Ne
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究