溝道效應(yīng)會使離子注入的可控性降低,甚至使得器件失效,因此,在離子注入時需要抑制這種溝道效應(yīng)。A3245ELHLT-T溝道效應(yīng)可以通過幾種技術(shù)最小化:表層的無定型阻礙層,晶圓方向的扭轉(zhuǎn),以及在晶圓表面形成損傷層。

   通常的無定型阻礙層是生長出一薄層二氧化硅,這一層入射離子的方向是隨機(jī)的,以便離子以不同的角度進(jìn)入晶圓,不會直接沿晶體溝道深入。將晶圓取向偏移主要晶面3°~7°,可以起到防止離子進(jìn)入溝道的效果。使用重離子,如硅、鍺對晶圓表面的預(yù)損傷注入會在晶圓表面形成非晶層。非晶層中,原子的排列是無規(guī)則的,入射離子受到的碰撞過程是隨機(jī)的,從而避免了溝道效應(yīng)的發(fā)生。