若只是簡(jiǎn)單地將金屬和半導(dǎo)體連接在一起,接觸區(qū)就會(huì)出現(xiàn)整流效應(yīng),這種附加的單向?qū)щ娦? HCF4053使得晶體管或集成電路不能正常工作。要使接觸區(qū)不存在整流效應(yīng),就要形成歐姆接觸。良好的歐姆接觸應(yīng)滿足以下條件:電壓與電流之間具有線性的對(duì)稱關(guān)系;接觸 電阻盡可能低,不產(chǎn)生明顯的附加阻抗;有一定的機(jī)械強(qiáng)度,能承受沖擊、震動(dòng)等外力的作用。

   形成歐姆接觸的方法有3種,分別是半導(dǎo)體高摻雜的歐姆接觸、低勢(shì)壘高度的歐姆接觸和高復(fù)合中心歐姆接觸。

   半導(dǎo)體高摻雜的歐姆接觸。在器件制造中常使用半導(dǎo)體高摻雜接觸方法。由于隧穿幾率與勢(shì)壘高度密切相關(guān),而勢(shì)壘高度又取決于半導(dǎo)體表面層的摻雜濃度,勢(shì)壘越窄,隧穿效應(yīng)越明顯,而勢(shì)壘的寬度取決于半導(dǎo)體的摻雜濃度,摻雜濃度越高,勢(shì)壘越窄。因此,只要控制好半導(dǎo)體的摻雜濃度,就可以得到良好的歐姆接觸。當(dāng)摻雜濃度較高,通常大于1019個(gè)/cm3時(shí),半導(dǎo)體表面的勢(shì)壘高度很小,載流子可以隧穿過(guò)勢(shì)壘,從而形成歐姆接觸。該方式的接觸電阻隨摻雜濃度的變化而變化。