低勢(shì)壘高度的歐姆接觸。低勢(shì)壘高度的歐姆接觸是一種肖特基接觸,如鋁與P型硅的接觸。HCF4053M013TR當(dāng)金屬功函數(shù)大于P型硅功函數(shù)而小于N型硅功函數(shù)時(shí),金屬―半導(dǎo)體接觸即可形成理想的歐姆接觸。但是,由于金屬一半導(dǎo)體界面的表面態(tài)的影響,使得半導(dǎo)體表面感應(yīng)空間電荷區(qū)層形成接觸勢(shì)壘,因此在半導(dǎo)體表面摻雜濃度較低時(shí),很難形成較理想的歐姆接觸。

   高復(fù)合中心歐姆接觸。當(dāng)半導(dǎo)體表面具有較高的復(fù)合中心密度時(shí),金屬一半導(dǎo)體間的電流傳輸主要受復(fù)合中心控制。高復(fù)合中心密度會(huì)使接觸電阻明顯減小,伏安特性近似對(duì)稱,在此情況下,半導(dǎo)體也可以與金屬形成歐姆接觸。隨著微電子器件特征尺寸越來(lái)越小,硅片面積越來(lái)越大,集成度水平越來(lái)越高,對(duì)互連和接觸技術(shù)的要求也越來(lái)越高。除了要求形成良好的歐姆接觸外,還要求布線材料滿足以下要求:

   ①電阻率低,穩(wěn)定性好;

   ②合金可被精細(xì)刻蝕,具有抗環(huán)境侵蝕的能力;

   ③易于沉積成膜,黏附性好,臺(tái)階覆蓋好;

   ④具有很強(qiáng)的抗電遷移能力,可焊性良好。