其制作方法是將一定厚度的△,先以磁控DC濺射,沉積在襯底的表面,然后再將襯底置于含N2或NH3的環(huán)境中,借高溫將這層⒎氮化成TiN。 EL5372IUZ另一種沉積TN方法是反應(yīng)濺射,金屬靶成分是△,利用氮氣與氬氣所混合的反應(yīng)氣體,經(jīng)離子轟擊而濺射出的△,與等離子內(nèi)因解離反應(yīng)形成的氮原子一起,形成TiN并沉積在襯底的表面。通常TN厚度為500~1500A之間。

   △N除了可以作為阻擋層用以外,在鎢塞工藝中,還可以用來作為鎢回蝕時的刻蝕的中止層。另外,為了防止金屬表面的反光對光刻膠曝光的影響,△N還可以用來作為鋁層的防反射層。

   Cu的阻擋層金屬材料是%、%N。在硅襯底上,采用離化了的金屬等離子體物理氣相沉積%薄膜。沉積厚度均勻、電阻率可控的薄膜并達(dá)到所要求的厚度。擇合適的襯底溫度、沉積時間、壓力以及靶材純度等,可以得到所要求的TiN/Ti膜或%薄膜的厚度。工藝完成后沉積的厚度應(yīng)達(dá)到規(guī)范值。硅片清洗、TN/Ti%薄膜沉積以及薄膜檢測等組成薄膜沉積的基本工藝。