晶圓表面的缺陷通過使部分芯片發(fā)生故障從而導(dǎo)致整個芯片失效。有些缺H12WD4890陷位于芯片的不敏感區(qū),并不會導(dǎo)致芯片失效。然而,由于日益減小的特征工藝尺寸和增加的元器件密度,電路集成度有逐漸升高的趨勢,這種趨勢使得任何給定缺陷落在電路有源區(qū)域的可能性增加,晶圓電測的成品率將會降低。

   特征圖形尺寸和缺陷尺寸

   更小的特征工藝尺寸從兩個主要方面使維持一個可以接受的晶圓電測成品率變得更困難。第一,較小圖像的光刻比較困難;第二,更小的圖像對更小的缺陷承受力很差,對整體的缺陷密度的承受力也變得很差。一項評估指出,如果缺陷密度為每平方厘米1個缺陷,則特征工藝尺寸為0.35um的電路的晶圓電測成品率會比相同條件下的0.5um電路低10%。