銅在硅和s⒑2中都有很高的擴(kuò)散速率,這會(huì)破壞器件的性能。傳統(tǒng)的阻擋層金屬對(duì)銅的阻擋作用不夠好,銅需要由一層薄膜阻擋層完全封裝起來(lái), EL5372IU這層封裝薄膜的作用是加固附著并有效地阻止擴(kuò)散。對(duì)銅來(lái)說(shuō)這個(gè)特殊的阻擋層金屬要求:阻止銅擴(kuò)散,低薄膜電阻,對(duì)介質(zhì)材料和銅都有很好的附著,與CMP平坦化工藝兼容,具有很好的臺(tái)階覆蓋,填充高深寬比間隙的金屬層是連續(xù)、等角的,允許銅有最小厚度,占據(jù)最大的橫截面積。實(shí)驗(yàn)表明,%對(duì)銅來(lái)說(shuō)有很好的阻擋和附著特性。

   在集成電路制造技術(shù)中,通常采用△N/Ti作為Al、W塞的阻擋層金屬材料。在互連金屬AlsCu/TiN/△結(jié)構(gòu)上,第一層△的沉積,通常采用磁控DC濺射,使用的氣體是氬,沉積厚度在200~500A之間,接下來(lái)第二層作為阻擋層之間的△N,其制作方法是將一定厚度的△,先以磁控DC濺射,沉積在襯底的表面,然后再將襯底置于含N2或NH3的環(huán)境中,借高溫將這層⒎氮化成TiN。另一種沉積TN方法是反應(yīng)濺射,金屬靶成分是△,利用氮?dú)馀c氬氣所混合的反應(yīng)氣體,經(jīng)離子轟擊而濺射出的△,與等離子內(nèi)因解離反應(yīng)形成的氮原子一起,成TiN并沉積在襯底的表面。通常TN厚度為500~1500A之間。

   △N除了可以作為阻擋層用以外,在鎢塞工藝中,還可以用來(lái)作為鎢回蝕時(shí)的刻蝕的中止層。另外,為了防止金屬表面的反光對(duì)光刻膠曝光的影響,△N還可以用來(lái)作為鋁層的防反射層。