對(duì)于銅互連來說,鉭(%)、氮化鉭(%N)都是阻擋層金屬的材料。這個(gè)擴(kuò)散阻擋層必須很薄(約75A), EL5427CLZ以致不影響具有高深寬比填充薄膜的電阻率而又能扮演一個(gè)阻擋層的角色。

   采用CVD沉積銅電鍍所必需的薄的種子層。種子層或觸及電鍍層是一層度為5OO~1000A的薄層并沉積在擴(kuò)散阻擋層頂部(以鉭為基礎(chǔ)的阻擋層金屬)。對(duì)于成功的電鍍,沿著側(cè)壁和底部,種子層是連續(xù)的,沒有針孔以及空洞是至關(guān)重要的。如果種子層不連續(xù),就可能會(huì)在電鍍的銅中產(chǎn)生空洞。

   用于CVD銅的是氣體Cu(hfac)2(TMVs),常溫下為黃色氣體,能通過在H2中還原Cu(hfac)2進(jìn)行反應(yīng),其化學(xué)反應(yīng)式如下:

   Cu(hhc)2(氣體)+H2(氣體)→Cu(固體)+2H2(氣體)

   采用CVD工藝來沉積銅電鍍薄的種子層。選擇合適的工藝條件(沉積溫度、時(shí)間、系統(tǒng)壓力及反應(yīng)劑濃度等),可以得到所要求的種子層薄膜的厚度。工藝完成后沉積的厚度應(yīng)達(dá)到規(guī)范值。