(1)短路�；ミB線HBD040YGE-A因電遷移而產(chǎn)生小丘堆積,引起相鄰兩條互連線短路,在微波器件和VLSI中尤為多見。鋁在發(fā)射極末端堆積,可引起EB結(jié)短路。多層布線的上下層鋁條間也會(huì)因電遷移發(fā)生短路等。

   (2)斷路。在金屬化層跨越臺(tái)階處或有傷痕處,應(yīng)力集中,電流密度大,可因電遷移而發(fā)生斷開。鋁條也可因水汽作用產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕而開路。

   (3)參數(shù)退化。電遷移還可引起EB結(jié)擊穿特性退化、電流放大系數(shù)‰變化等。

   抗電遷移措施可從設(shè)計(jì)、工藝、材料芯片表面和覆蓋介質(zhì)膜方面進(jìn)行考慮。

   設(shè)計(jì)。合理進(jìn)行電路版圖設(shè)計(jì)及熱設(shè)計(jì),盡可能增加條寬,降低電流密度,采用合適的金屬化圖形(如網(wǎng)絡(luò)狀圖形比樹狀結(jié)構(gòu)好),使有源器件分散。增大芯片面積,合理選擇封裝形式,必要時(shí)加裝散熱器防止熱不均勻性和降低芯片溫度,減小熱阻,有利于散熱。