為抑制靜電釋放,凈化間所使用的手推車、工作臺、設(shè)備等都必須導(dǎo)電,并且OP2177ARM-REEL凈化間的人員和物體必須接地,通過這些方式使靜電得以釋放到地。先進的凈化間通過位于凈化間天花板內(nèi)專用的離子發(fā)射器產(chǎn)生高電場使空氣分子電離,當(dāng)導(dǎo)電性空氣接觸到硅片表面時,能夠中和掉硅片表面絕緣層內(nèi)所帶的靜電荷�？諝怆婋x的另一種方式是采用軟X射線輻射。通過軟X射線使得帶電硅片周圍的空氣產(chǎn)生大量的離子對,從而快速中和硅片表面的電荷。

   半導(dǎo)體制造所使用的水是超純?nèi)ルx子水,去離子水主要用于硅片的化學(xué)清洗、氧化、濕法腐蝕等工藝中。去離子水中不允許有溶解離子、有機材料、顆粒、細(xì) 菌、硅土、溶解氧等沾污。水中的溶解離子來源于納和鉀這樣容易形成離子的礦物質(zhì),這些溶解離子容易造成可動離子沾污。有機物質(zhì)是指溶解在水中的含碳化合物,稱為有機碳總量。有機沾污對氧化層薄膜生長具有破壞性作用。水中的細(xì)菌可以產(chǎn)生有機物,可導(dǎo)致氧化層、多晶硅和金屬層的缺陷,某些含磷的細(xì)菌還可能導(dǎo)致器件的摻雜變化。城市用水中的硅土是細(xì)碎的懸浮顆粒,這些顆粒的尺寸從10A到10um。高含量的硅土能淤塞水凈化設(shè)備的過濾裝置,并降低熱生長氧化物的可靠性。水中的溶解氧將導(dǎo)致硅片表面自然氧化層的形成。當(dāng)水被減壓時,溶解氧將從溶液中釋放出來形成氣泡,導(dǎo)致硅片表面的不完全浸潤。城市水經(jīng)過凈化裝置成為半導(dǎo)體制造的超純水。凈化過程包括去離子化、去離子水過濾等過程。去離子化采用特制的離子交換樹脂去除電活性鹽類的離子,將水的電阻率轉(zhuǎn)變?yōu)?8MΩ・cm

(25℃)。去離子化的水再經(jīng)過反滲透技術(shù)去除更小的顆粒、金屬離子、膠體和有機物質(zhì)。脫氣器用于去除水中的溶解氣體(如氧),紫外燈用于殺滅水中的細(xì)菌。