方塊電阻的測(cè)量
發(fā)布時(shí)間:2016/6/12 21:35:17 訪問次數(shù):3085
方塊電阻(Sheet Rcsistance)即擴(kuò)散層電阻,又簡(jiǎn)稱方阻。其定義為正方形的半導(dǎo)體薄層,A3242LLHLT-T在電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為歐姆每方(Ω/□)。簡(jiǎn)單來說,方塊電阻就是指導(dǎo)電材料單位厚度單位面積上的電阻值,其大小可以反映出半導(dǎo)體中摻雜的比例,因此擴(kuò)散后要測(cè)量此參數(shù)。
方塊電阻的定義。對(duì)于一塊均勻的導(dǎo)體,其導(dǎo)電能力與材料的電阻率p、長(zhǎng)度z以及橫截面積s都有關(guān),方塊電阻指一個(gè)正方形的擴(kuò)散層邊到邊之間的電阻,如圖2.9所示。若擴(kuò)散薄層是邊長(zhǎng)為z的正方形,而結(jié)深為均勹,貝刂這個(gè)小方塊所呈現(xiàn)的電阻就是方塊電阻
Rs,由此可見,薄層電阻只與電阻率和薄層的厚度有關(guān),而與邊長(zhǎng)無關(guān)。由于薄層電阻測(cè)量簡(jiǎn)單,工藝過程中常用測(cè)量它來判斷擴(kuò)散層的質(zhì)量是否符合工藝設(shè)計(jì)要求。
方塊電阻(Sheet Rcsistance)即擴(kuò)散層電阻,又簡(jiǎn)稱方阻。其定義為正方形的半導(dǎo)體薄層,A3242LLHLT-T在電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為歐姆每方(Ω/□)。簡(jiǎn)單來說,方塊電阻就是指導(dǎo)電材料單位厚度單位面積上的電阻值,其大小可以反映出半導(dǎo)體中摻雜的比例,因此擴(kuò)散后要測(cè)量此參數(shù)。
方塊電阻的定義。對(duì)于一塊均勻的導(dǎo)體,其導(dǎo)電能力與材料的電阻率p、長(zhǎng)度z以及橫截面積s都有關(guān),方塊電阻指一個(gè)正方形的擴(kuò)散層邊到邊之間的電阻,如圖2.9所示。若擴(kuò)散薄層是邊長(zhǎng)為z的正方形,而結(jié)深為均勹,貝刂這個(gè)小方塊所呈現(xiàn)的電阻就是方塊電阻
Rs,由此可見,薄層電阻只與電阻率和薄層的厚度有關(guān),而與邊長(zhǎng)無關(guān)。由于薄層電阻測(cè)量簡(jiǎn)單,工藝過程中常用測(cè)量它來判斷擴(kuò)散層的質(zhì)量是否符合工藝設(shè)計(jì)要求。
熱門點(diǎn)擊
- PCBA包裝通用周轉(zhuǎn)工藝規(guī)范
- 方塊電阻的測(cè)量
- 整理是指明確區(qū)分必要和不必要的物品
- 顆粒在sC―1溶液中的氧化和溶解
- 按電路功能分類
- 離子注入?yún)^(qū)域的雜質(zhì)濃度
- 注膠
- 典型三防涂覆工藝流程
- 工藝可靠性評(píng)估
- SMC/SMD貼裝的通用要求
推薦技術(shù)資料
- 滑雪繞樁機(jī)器人
- 本例是一款非常有趣,同時(shí)又有一定調(diào)試難度的玩法。EDE2116AB... [詳細(xì)]
- 新一代產(chǎn)品RL7
- 雙端口靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)
- 512kB – 1MB 閃存和 256kB
- 480MHz Arm Cortex-M85圖
- RGB 和 MIPI-DSI
- RA 系列的Arm 微控制器 (MCU)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究