Bi-CMOS工藝是將雙極型器件工藝和CMOs工藝結(jié)合在一起形成的一種工藝,兼具雙極和CMOs工藝的優(yōu)點(diǎn)。CMOs具有功耗低、噪聲容限大、EP3C120F780C7N集成度高的優(yōu)點(diǎn)。雙極器件具有驅(qū)動(dòng)電流大、速度快等優(yōu)點(diǎn)。通過對(duì)雙極和CMOS工藝各自特性的調(diào)整,可以達(dá)到速度和功耗的平衡,使Bi-CMOS可以達(dá)到CMOs更高的速度、更好的模擬電路性能;比雙極工藝更低的功耗和更高的集成度。Ⅱ-CMOS具有 以下優(yōu)點(diǎn):

   (1)相比較同樣尺寸的CMOs電路,數(shù)字Bi-CMOs邏輯門電路的驅(qū)動(dòng)電流更大,驅(qū)動(dòng)大電容負(fù)載時(shí)具有更高的速度;

   (2)Bi-CMOS門電路具有與CMOs門電路同樣的功耗,并且交流功耗更低;

   (3)數(shù)字Bi-CMOs電路可以制作TTL或ECL輸出接口。

Bi-CMOS主要應(yīng)用于3個(gè)方面,一是在諸如靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(sRAM)等存儲(chǔ)器電路中,可以采用雙極型器件構(gòu)成靈敏放大器來檢測(cè)電路中微小的電壓變化;二是在高速數(shù)字集成電路中,雙極型器件可以用來驅(qū)動(dòng)比較大的電容負(fù)載;三是應(yīng)用于數(shù)字/模擬混合集成電路中。