NBTI效應(yīng)產(chǎn)生界面陷阱的討論:第1個模型討論通過氫鍵相互作用動力學(xué)產(chǎn)生陷阱; OES4805第2個模型描述了通過化學(xué)物質(zhì)的相互作用和擴散形成更普遍的陷阱。

   氫模型。氫界面陷阱,可以表示為其中,HO是一個中性的間隙氫原子。第一性原理計算表明帶正電荷的氫原子或質(zhì)子H+在界面是唯一穩(wěn)定的氫充電狀態(tài),H+直接和SiH反應(yīng)形成界面陷阱,該模型采用的事實是合成的SiH(鈍化的懸掛的化學(xué)物質(zhì))被極化以致更多的正電荷在si原子附近停留和更多的負(fù)電荷在氫原子附近停留。H+移向SiH分子的負(fù)電荷偶極區(qū)。然后H+和Hˉ反應(yīng)形成H2,留下一個正電荷的si懸掛鍵(或者缺陷中心)。在這個模型中,H2最后可以作為催化劑再次分解來破壞另外的sⅢ鍵。

   這個過程理論上可以持續(xù)進行,直到氫被反應(yīng)完。有一個不同的模型有時被用來解釋NBTI誘發(fā)陷阱的形成,認(rèn)為在sⅡ的“熱空穴”、附近的空穴或者⒏/S⒑2界面的相互作用。