對(duì)于深亞微米CMOs工藝器件,當(dāng)漏極ESD5Z5.0T1G電壓一定時(shí),電壓(/cs)變化的情況如圖5,3所示。

   由圖可知,當(dāng)吒s為/Ds一半附近,氣b達(dá)最大值。這是因?yàn)榇藭r(shí)漏極附近形成高電場(chǎng)區(qū),載流子一進(jìn)入該區(qū),就從電場(chǎng)獲得很高的能量而成為熱載流子。另外,漏極附近熱載流子的運(yùn)動(dòng)因碰撞電離而產(chǎn)生電子―空穴對(duì)。產(chǎn)生的多數(shù)空穴流向襯底,形成襯底電流,部分空穴隨著漏極向柵極正向電場(chǎng)的形成而注入氧化層。這樣電子和空穴這兩種載流子都注入s⒑2,引起器件特性的很大變動(dòng),這時(shí)產(chǎn)生的是溝道熱載流子注入效應(yīng)。