器件的有源區(qū)形成后,接下來就OP220GS-REEL是N阱和P阱的制作。在圓片表面涂覆光刻膠,采用2#光刻版曝光顯影后,N阱區(qū)域的光刻膠被去掉。接著進(jìn)行離子注入,如圖4.5所示。首先高能大劑量離子注入N型雜質(zhì)磷(P),劑量為1013量級,形成N阱。接著以較低的能量離子注入砷(As),劑量為1012量級,此步驟的注入是為了防止PMOs源漏之間的穿通(Punch through)。最后低能量離子注入As,劑量為1011量級,此步驟的注入是為了調(diào)節(jié)PMOS的開啟電壓。

   圖45 N阱離子注入

   完成N阱離子注入后,去掉光刻膠。接著采用3#光刻版進(jìn)行P阱光刻,隨后進(jìn)行離子注入,如圖4.6所示。首先高能大劑量注入硼(B),劑量為1013量級,此步驟離子注入形成P阱。接著以較低的能量注入離子B,劑量約為1012量級,此步驟的注入是為了防止NMOS源漏之間的穿通。最后低能量離子注入B,劑量為1011量級,此步驟的注入是為了調(diào)節(jié)NMOs的開啟電壓。N、P阱3次注入的能量與劑量均從高到低,濃度分布自硅片表面往下從低到高,這種阱稱為倒退阱(Rc饣ogradcwe11)。