數(shù)據(jù)存儲器擴(kuò)展
發(fā)布時間:2016/7/19 20:52:19 訪問次數(shù):832
1.單片機(jī)數(shù)據(jù)存儲器
外部數(shù)據(jù)存儲器與程序存儲器擴(kuò)展設(shè)AD7887BRZ-REEL7計方法基本相同,只是外部數(shù)據(jù)存儲器的讀/寫信號要由WR和RD來實現(xiàn)。
2.靜態(tài)RAM擴(kuò)展實例
單片機(jī)gOc51應(yīng)用系統(tǒng)擴(kuò)展8KB靜態(tài)RAM。
解 (1)芯片選擇
根據(jù)題目容量的要求,選用sRAM6%4。它是一種采用CMOS工藝制成的田uM,采用單一+5V供電,輸入/輸出電平均與TTL兼容,額定功耗⒛0mW,典型存取時間200ns,28線雙列直插式封裝。
能“的引腳如圖9.6所示。⒍bz+有13根(A0~A12)地址線;8根(D0~D7)雙向數(shù)據(jù)線;CE為片選線,低電平有效;WE為寫允許線,低電平有效;oE為讀允許線,低電平有效。
(2)硬件電路連接
單片機(jī)與⒍CzI的硬件連接如圖9.7所示。
1.單片機(jī)數(shù)據(jù)存儲器
外部數(shù)據(jù)存儲器與程序存儲器擴(kuò)展設(shè)AD7887BRZ-REEL7計方法基本相同,只是外部數(shù)據(jù)存儲器的讀/寫信號要由WR和RD來實現(xiàn)。
2.靜態(tài)RAM擴(kuò)展實例
單片機(jī)gOc51應(yīng)用系統(tǒng)擴(kuò)展8KB靜態(tài)RAM。
解 (1)芯片選擇
根據(jù)題目容量的要求,選用sRAM6%4。它是一種采用CMOS工藝制成的田uM,采用單一+5V供電,輸入/輸出電平均與TTL兼容,額定功耗⒛0mW,典型存取時間200ns,28線雙列直插式封裝。
能“的引腳如圖9.6所示。⒍bz+有13根(A0~A12)地址線;8根(D0~D7)雙向數(shù)據(jù)線;CE為片選線,低電平有效;WE為寫允許線,低電平有效;oE為讀允許線,低電平有效。
(2)硬件電路連接
單片機(jī)與⒍CzI的硬件連接如圖9.7所示。
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