LED,即半導(dǎo)體發(fā)光二極管(hght Emitting Diodc),其發(fā)光的物理本質(zhì)是對半導(dǎo)體pn結(jié)通電后,電勢驅(qū)動半導(dǎo)體材料中的電子與空穴復(fù)合而生成光子,從而實現(xiàn)半導(dǎo)體發(fā)光。 HD64F2128FA20不論是氮化物系列的藍綠光LED,還是AlGaInP系列的紅黃光LED,目前其大規(guī)模生產(chǎn)均主要采用MOCVD設(shè)備與技術(shù)�？梢哉f,MOCVD設(shè)備與外延生長技術(shù)是LED的基礎(chǔ)和核心,是LED電學(xué)特性和光學(xué)特性的主要決定因素。

   本章前4節(jié)主要從MOCVD技術(shù)原理、設(shè)備設(shè)計、硬件配置、源材料特性和實際生產(chǎn)使用等角度,結(jié)合LED材料的外延生長工藝流程和特點進行基礎(chǔ)性知識介紹。1.5節(jié)用專門篇幅詳細介紹了LED外延材料幾種主要的檢測方法,包括高分辨X射線檢測技術(shù)、光致

發(fā)光測試技術(shù)(Phot01uminescncc)、霍爾(Hall)測試技術(shù)、電容電壓(C-V)測試技術(shù)、原子力顯微技術(shù)(AFM)和透射電鏡(TEM)檢測技術(shù)。這些檢測技術(shù)考察的重點是LED外延材料表面形貌、晶體質(zhì)量、材料結(jié)構(gòu)、電學(xué)性能及發(fā)光特性等。