紅黃光LED芯片結(jié)構(gòu)與制備工藝
發(fā)布時(shí)間:2016/7/27 21:31:24 訪問(wèn)次數(shù):2483
第4章4.1~4.4節(jié)由王新建博士編著,4.5節(jié)由郭偉玲教授編著。介紹LED芯片結(jié)構(gòu)及制備工藝,包括芯片制造基礎(chǔ)工藝,如蒸鍍、光刻、刻蝕、 HD64F2116BG20V研磨拋光等;正裝和倒裝結(jié)構(gòu)LED芯片設(shè)計(jì)及制備工藝;垂直結(jié)構(gòu)LED芯片設(shè)計(jì)及制備工藝;高壓LED設(shè)計(jì)及制備工藝。
第5章由汪延明博士編著。主要介紹藍(lán)綠光LED芯片高光提取技術(shù),內(nèi)容包括電流阻擋層、隱形切割、側(cè)腐蝕、粗化、反射電極、石襯底。
第6章由郭偉玲教授和高偉博士編著。主要介紹紅黃光LED芯片結(jié)構(gòu)與制備工藝,內(nèi)容包括正裝、倒裝AlGaInP LED芯片結(jié)構(gòu)及制備工藝、電極結(jié)構(gòu)及電流擴(kuò)展技術(shù)、CJaAs基LED高光提取技術(shù)、轉(zhuǎn)移襯底器件的反射鏡、高亮度和大功率AlGaInP LED技術(shù)。
第7章由錢可元教授編著。主要介紹LED封裝技術(shù),內(nèi)容包括LED器件封裝的主要功能、LED器件封裝的光學(xué)設(shè)計(jì)及LED器件封裝的熱學(xué)設(shè)計(jì)。本書將LED外延和芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制備工藝技術(shù)有機(jī)結(jié)合,力求使讀者能夠較快掌握和熟悉LED的設(shè)計(jì)規(guī)律和制備技巧,并應(yīng)用到實(shí)際研發(fā)和生長(zhǎng)中,具有廣泛的適用性。本書能夠順利出版,感謝國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟和半導(dǎo)體照明、LED相
關(guān)網(wǎng)站和企業(yè)的的大力支持。本書可作為高等院校相關(guān)專業(yè)高年級(jí)學(xué)生和研究生的教材和參考書,作為專業(yè)技能人才培養(yǎng)的資料,也可供有關(guān)LED企業(yè)工程技術(shù)人員參考。
此外,對(duì)第三代半導(dǎo)體材料GaN材料的外延技術(shù)和芯片制備工藝的介紹,可供G瘀電力電子器件工程技術(shù)人員參考。
限于作者水平有限,難免有不妥和錯(cuò)誤之處,懇請(qǐng)讀者批評(píng)指正。本書配有電子課件,歡迎選用本書的讀者索取。
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第5章由汪延明博士編著。主要介紹藍(lán)綠光LED芯片高光提取技術(shù),內(nèi)容包括電流阻擋層、隱形切割、側(cè)腐蝕、粗化、反射電極、石襯底。
第6章由郭偉玲教授和高偉博士編著。主要介紹紅黃光LED芯片結(jié)構(gòu)與制備工藝,內(nèi)容包括正裝、倒裝AlGaInP LED芯片結(jié)構(gòu)及制備工藝、電極結(jié)構(gòu)及電流擴(kuò)展技術(shù)、CJaAs基LED高光提取技術(shù)、轉(zhuǎn)移襯底器件的反射鏡、高亮度和大功率AlGaInP LED技術(shù)。
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此外,對(duì)第三代半導(dǎo)體材料GaN材料的外延技術(shù)和芯片制備工藝的介紹,可供G瘀電力電子器件工程技術(shù)人員參考。
限于作者水平有限,難免有不妥和錯(cuò)誤之處,懇請(qǐng)讀者批評(píng)指正。本書配有電子課件,歡迎選用本書的讀者索取。
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