以上Mo源的各自的穩(wěn)定性及蒸氣壓力特點之間的差異,在實際使用時都會加以考慮, BAS21-NXP且有針對性地對每種Mo源的源瓶壓力和溫度(水浴槽溫度)甚至源瓶聯(lián)結(jié)組合方式都做個性化設(shè)定。例如,TMGa因其蒸氣壓低,易于揮發(fā),供源效率高,通常其源瓶溫度設(shè)定在一10℃~10℃之間就足以滿足反應(yīng)所需的用量。而且,也因其供源效率高,TMGa目前是快速生長GaN本征層和n型G瘀層的主要Mo源。相應(yīng)的,當需要用很小流量的TMGa生長量子阱等精細結(jié)構(gòu)時,反而會特別設(shè)置雙稀釋管路,以便有節(jié)制地實現(xiàn)小流量精準供應(yīng)。TMAl源瓶溫度如果低于15℃,則其會在源瓶內(nèi)“凍結(jié)”而難以有效供氣源。其源瓶溫度通常設(shè)置在17~25℃之間。Cp2Mg的源瓶溫度通常會設(shè)置在25~32℃之間,并且配合把Mo源瓶內(nèi)部口徑做大,以便有足夠的蒸氣被載氣帶出源瓶,參與p型層的外延摻雜生長。為保證部分蒸氣壓較低的Mo源總的供應(yīng)效率和穩(wěn)定性,甚會同時配置幾路同樣的Mo源,或?qū)ν瑯拥腗O源進行雙瓶或多瓶串聯(lián),例如,通常會將TMIn源瓶進行串聯(lián),并且同時提供多路串聯(lián)的TMIn管路單元。在實際生產(chǎn)中,為了管理的方便,也有將所有Mo源瓶設(shè)定為相同溫度的情況。目前MOCVD系統(tǒng)中,不管是個性化的Mo源瓶的溫度設(shè)置,還是統(tǒng)一將所有MO源設(shè)定為相同溫度,基本上都會將溫度放置在室溫附近。源瓶溫度設(shè)置在室溫附近,且配備加熱帶對Mo源瓶出口至反應(yīng)腔入口的管線進行加熱,主要是在考慮設(shè)備的工作環(huán)境溫度下安全穩(wěn)定地輸運氣源。這樣的適當加熱但溫度不過高,既防止Mo源在輸運管線內(nèi)凝結(jié),也可避兔各種控制計、儀器和儀表在過高工作環(huán)境溫度中失靈失效。在Mo源的供應(yīng)上,質(zhì)量流量計的量程范圍配置與實際外延生長中流量的設(shè)定也必須適當,以便精確穩(wěn)定地供應(yīng)氣源。尤其要避免一個誤區(qū),以為載氣流量越大就能供應(yīng)更多的Mo源。實則不然,Mo源的有效量主要由源瓶溫度、壓力、源瓶內(nèi)徑開口大小等決定。在一定的載氣流量范圍內(nèi),其有效量供應(yīng)會與載氣量成穩(wěn)定的正比變化關(guān)系。但超出一定流量范圍,基本載氣流量進一步加大,Mo源的實際有效量并不會明顯跟隨著更大。在MFc的量程選擇上,一定要與實際需要控制的氣體流量接近,以保證控制精度。除了這些實際的使用處置辦法,在實際工作中還要特別注意生產(chǎn)安全。Mo源雖然毒性一般較低,但對水和空氣很敏感,遇之會燃燒或爆炸。因此,要特別避免Mo氣源曝露在空氣或水汽環(huán)境,而一旦出現(xiàn)燃燒或等險情,則要嚴格按照緊急處置規(guī)范安全處理。