MOcVD技術(shù)始于⒛世紀(jì)50年代中期I1’刀。當(dāng)時(shí)是在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)GaAs,由于兩者晶格失配較大,不是嚴(yán)格意義上的晶格外延,所以稱為“淀積”或“沉積”。 HD64F2161BTE10V實(shí)際材料制備中,大多數(shù)化學(xué)氣相生長(zhǎng)均發(fā)生在晶格并不完全匹配的襯底上,如在藍(lán)寶石上生長(zhǎng)GaN。即便現(xiàn)在的紅光LED等結(jié)構(gòu)是在晶格匹配的GaAs襯底上外延生長(zhǎng)的,但仍沿用MOcVD這一名稱,不過(guò)也有文獻(xiàn)中用0MCVD(0rganomctallic chcmical vap∝dCposition)、oMVPE(organometa11ic Ⅶpor phase cpitaxy)、包括前面介紹的MOVPE(mctalorganic Ⅶporphasc cpitaxy)等這些名稱。事實(shí)上,這些名稱在今天材料生長(zhǎng)的技術(shù)上己沒(méi)有本質(zhì)的區(qū)別或特別所指。隨著使用該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了具有高電子遷移率的GaAs微電子器件D]、激光器u5]、太陽(yáng)能電池lbl的成功制備,MOCVD技術(shù)引起人們極大的興趣并進(jìn)行了廣泛的研究。

   1986年Aman0冂等人利用MOCVD技術(shù)生長(zhǎng)低溫AN緩沖層,成功地生長(zhǎng)出質(zhì)地透明、表面沒(méi)有裂紋的GaN薄膜,并于1989年利用Mg實(shí)現(xiàn)p型摻雜。隨后在此基礎(chǔ)上,研制出具有pn結(jié)之G瘀藍(lán)光LED,從此開(kāi)創(chuàng)了藍(lán)光LED的歷史。19呢年日本日亞化學(xué)公司(Ni曲ia)的中村修二(Nakamura)使用熱退火技術(shù)成功活化G瘀薄膜,于1993年

底實(shí)現(xiàn)了InGaN異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的產(chǎn)業(yè)化lgl,并于1995年研制成功InG(N量子阱藍(lán)光激光器lOl,該產(chǎn)品迅速推向市場(chǎng)。截至⒛14年底,全球己有超過(guò)⒛00臺(tái)MOCVD系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于LED的工業(yè)生產(chǎn)和技術(shù)研究,其中絕大多數(shù)設(shè)備用于生長(zhǎng)G燜基的藍(lán)綠光LED外延片。

   圖19是典型的MOCVD生長(zhǎng)過(guò)程示意圖。在MOCVD反應(yīng)室內(nèi),為了使生長(zhǎng)的材料穩(wěn)定、可重復(fù)且均勻性好,通常要調(diào)整外延條件(如溫度、壓力、總氣流量、襯底轉(zhuǎn)速等)以在襯底表面形成穩(wěn)定的層流,稱為邊界層。