LED結(jié)構(gòu)中其他外延層
發(fā)布時(shí)間:2016/7/27 21:46:54 訪問次數(shù):448
LED結(jié)構(gòu)中其他外延層,如AlGaN、n-AlGaN、p-AlGaN及超晶格結(jié)構(gòu)等的生長情況上述結(jié)構(gòu)的生長類似。
除MOCVD技術(shù)之外,LED的生長還可以采用其他外延生長技術(shù)來實(shí)現(xiàn),主要有分子束外延、HD64F2149YVTE10化學(xué)束外延,以及液相外延。這里就不――介紹。本章節(jié)主要介紹MOCVD技術(shù)和相關(guān)知識(shí),并結(jié)合G洲基的藍(lán)綠光LED的外延生長、兼顧AlGaInP材料系列紅黃光LED的外延生長進(jìn)行舉例分析和探討。
MOcVD技術(shù)始于⒛世紀(jì)50年代中期I1’刀。當(dāng)時(shí)是在藍(lán)寶石襯底上生長GaAs,由于兩者晶格失配較大,不是嚴(yán)格意義上的晶格外延,所以稱為“淀積”或“沉積”。實(shí)際材料制備中,大多數(shù)化學(xué)氣相生長均發(fā)生在晶格并不完全匹配的襯底上,如在藍(lán)寶石上生長GaN。即便現(xiàn)在的紅光LED等結(jié)構(gòu)是在晶格匹配的GaAs襯底上外延生長的,但仍沿用MOcVD這一名稱,不過也有文獻(xiàn)中用0MCVD(0rganomctallic chcmical vap∝dCposition)、oMVPE(organometa11ic Ⅶpor phase cpitaxy)、包括前面介紹的MOVPE(mctalorganic Ⅶporphasc cpitaxy)等這些名稱。事實(shí)上,這些名稱在今天材料生長的技術(shù)上己沒有本質(zhì)的區(qū)別或特別所指。隨著使用該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了具有高電子遷移率的GaAs微電子器件D]、激光器u5]、太陽能電池lbl的成功制備,MOCVD技術(shù)引起人們極大的興趣并進(jìn)行了廣泛的研究。
LED結(jié)構(gòu)中其他外延層,如AlGaN、n-AlGaN、p-AlGaN及超晶格結(jié)構(gòu)等的生長情況上述結(jié)構(gòu)的生長類似。
除MOCVD技術(shù)之外,LED的生長還可以采用其他外延生長技術(shù)來實(shí)現(xiàn),主要有分子束外延、HD64F2149YVTE10化學(xué)束外延,以及液相外延。這里就不――介紹。本章節(jié)主要介紹MOCVD技術(shù)和相關(guān)知識(shí),并結(jié)合G洲基的藍(lán)綠光LED的外延生長、兼顧AlGaInP材料系列紅黃光LED的外延生長進(jìn)行舉例分析和探討。
MOcVD技術(shù)始于⒛世紀(jì)50年代中期I1’刀。當(dāng)時(shí)是在藍(lán)寶石襯底上生長GaAs,由于兩者晶格失配較大,不是嚴(yán)格意義上的晶格外延,所以稱為“淀積”或“沉積”。實(shí)際材料制備中,大多數(shù)化學(xué)氣相生長均發(fā)生在晶格并不完全匹配的襯底上,如在藍(lán)寶石上生長GaN。即便現(xiàn)在的紅光LED等結(jié)構(gòu)是在晶格匹配的GaAs襯底上外延生長的,但仍沿用MOcVD這一名稱,不過也有文獻(xiàn)中用0MCVD(0rganomctallic chcmical vap∝dCposition)、oMVPE(organometa11ic Ⅶpor phase cpitaxy)、包括前面介紹的MOVPE(mctalorganic Ⅶporphasc cpitaxy)等這些名稱。事實(shí)上,這些名稱在今天材料生長的技術(shù)上己沒有本質(zhì)的區(qū)別或特別所指。隨著使用該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了具有高電子遷移率的GaAs微電子器件D]、激光器u5]、太陽能電池lbl的成功制備,MOCVD技術(shù)引起人們極大的興趣并進(jìn)行了廣泛的研究。
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