高質量的源材料是制備高性能光電子器件的基礎。LED的MOCVD外延生長所用到的主要源材料有金屬有機化合物源(Mo源)、氫化物源、A914BYW-680M高純載氣和襯底。GaN基藍綠光LED和AlGaInP紅黃光LED外延生長所用的Mo源大多相同,其主要區(qū)別在于氫化物V族源和襯底的不同,GaN基LED的氫化物V族源為NH3,而AlGaInP紅黃光LED的V族源主要為As比和PH3。SiH4雖是氫化物,其主要作為n型摻雜源。實際生長過程中用到的H2和惰性氣體N2和Ar等作為載氣也屬于源材料。GaN基藍綠光LED所使用的襯底片的材料一般為藍寶石、Si、sC等,而AlGaInP紅黃光LED的襯底材料一般為GaAs和hP。

   源材料的化學、物理性質和純度對MOCVD生長條件、外延層的質量等都有決定性的影響。本文僅對這些氣源材料的基本性能做常識性的簡略介紹,以幫助我們理解在實際產業(yè)生產中對這些氣源材料的使用、處置方法與措施。