金屬有機化合物源,簡稱Mo源,亦稱前A915AY-100M體或前驅(qū)體(precursOr)。GaN系列材料生長所常用到的Mo源主要有TMGa、TEGa、TMAl、TMIn、Cp2Mg、DMzn和DEZn等幾種,其中Cp2Mg、DMzn和DEZn主要用作p型摻雜源。

   Mo源在室溫下一般為液態(tài)或固態(tài),具有適當并且穩(wěn)定的蒸氣壓、適宜的熱分解溫度、不易與組合使用的其他的源發(fā)生預沉積反應、在源瓶中穩(wěn)定,這些特點使得可以實現(xiàn)精確 外延生長。Mo源的這些特點,以及各種Mo源之間的物理性質(zhì)差別,決定性因素在于Mo源中金屬一碳鍵強度的不同。它決定了按自由基發(fā)生均相裂解反應時分子的穩(wěn)定性,即化學鍵強度越弱,Mo源分解溫度越低。金屬一碳鍵的強度取決于金屬原子本身(即電負性)和有機集團的尺寸與結(jié)構(gòu)⒓到。圖1△4中舉例說明了上述兩種因素對金屬一碳鍵強度的影響。Ⅲ族金屬元素(A1、Ga、In)的電負性隨相對原子質(zhì)量增加而減小,其鍵強也依次減小。對于同一元素,乙基化合物的金屬一碳鍵強度弱于甲基化合物的。