在同質(zhì)pn結(jié)中,p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體材料相同,在界面AH177 處導(dǎo)帶邊和價(jià)帶邊連續(xù),p型半導(dǎo)體雜質(zhì)濃度為ⅣA,n型半導(dǎo)體雜質(zhì)濃度為ⅣD,p型半導(dǎo)體費(fèi)米能級EFp低于n型半導(dǎo)體費(fèi)米能級EFn,如圖2-6(a)所示。在半導(dǎo)體材料中載流子遵守玻爾茲曼分布,p型半導(dǎo)體中價(jià)帶空穴濃度高,導(dǎo)帶自由電子濃度低;而n型半導(dǎo)體中價(jià)帶空穴濃度低,導(dǎo)帶自由電子濃度高。因此,在p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體交界面處載流子分布不平衡,p型一側(cè)空穴向n型一側(cè)擴(kuò)散,p型一側(cè)留下帶負(fù)電荷的電離受主,n型一側(cè)自由電子向p型一側(cè)擴(kuò)散,在n型一側(cè)留下帶正電荷的電離施主,由此形成了空間電荷區(qū)。在界面兩側(cè)分布等量的正負(fù)電荷形成電場,由n型一側(cè)指向p型一側(cè),此電場稱為內(nèi)建電場。在內(nèi)建電場的作用下自由電子從p型半導(dǎo)體向n型半導(dǎo)體一側(cè)漂移,n型半導(dǎo)體空穴向p型半導(dǎo)體一側(cè)漂移,形成漂移電流。